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1. WO2020091993 - BOÎTIERS DE DISPOSITIFS À SEMICONDUCTEUR AVEC DES AMÉLIORATIONS DE ROUTAGE ÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS

Numéro de publication WO/2020/091993
Date de publication 07.05.2020
N° de la demande internationale PCT/US2019/056358
Date du dépôt international 15.10.2019
CIB
H01L 23/31 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
28Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
31caractérisées par leur disposition
H01L 23/495 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
488formées de structures soudées
495Cadres conducteurs
H01L 23/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 21/66 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
66Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
CPC
G01R 1/07314
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
1Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
02General constructional details
06Measuring leads; Measuring probes
067Measuring probes
073Multiple probes
07307with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
07314the body of the probe being perpendicular to test object, e.g. bed of nails or probe with bump contacts on a rigid support
H01L 21/56
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, ; e.g. sealing of a cap to a base of a container
56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
H01L 21/561
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, ; e.g. sealing of a cap to a base of a container
56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
561Batch processing
H01L 22/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
22Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
10Measuring as part of the manufacturing process
12for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
H01L 22/14
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
22Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
10Measuring as part of the manufacturing process
14for electrical parameters, e.g. resistance, deep-levels, CV, diffusions by electrical means
H01L 22/32
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
22Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
30Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
32Additional lead-in metallisation on a device or substrate, e.g. additional pads or pad portions, lines in the scribe line, sacrificed conductors
Déposants
  • MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED [US]/[US]
Inventeurs
  • MABUTAS, Oliver
  • KENGANANTANON, Ekgachai
  • KOVITSOPHON, Wichai
  • SOONTORNVIPART, Tarapong
  • BUNKHEM, Peerapat
Mandataires
  • WATSON, James C.
  • BACA, Andrew J.
  • NIXON, Jason P.
  • BAKER, Gregory C.
  • BEZDJIAN, Daniel J.
  • BOOTH, Brett C.
  • FLORES, Jesse M.
  • GUNN, J. Jeffrey
  • LOFDAHL, Jordan
  • WOODHOUSE, Kyle M.
  • WRIGHT, W. James
Données relatives à la priorité
16/235,76128.12.2018US
62/752,77730.10.2018US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE PACKAGES WITH ELECTRICAL ROUTING IMPROVEMENTS AND RELATED METHODS
(FR) BOÎTIERS DE DISPOSITIFS À SEMICONDUCTEUR AVEC DES AMÉLIORATIONS DE ROUTAGE ÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS
Abrégé
(EN)
Semiconductor device packages may include a die-attach pad and a semiconductor die supported above the die-attach pad. A spacer comprising an electrically conductive material may be supported above the semiconductor die or between the semiconductor die and the die-attach pad. A wire bond may extend from a bond pad on an active surface of the semiconductor die to the spacer. Another wire bond may extend from the spacer to a lead finger or the die-attach pad. An encapsulant material may encapsulate the semiconductor die, the spacer, the wire bond, the other wire bond, the die-attach pad, and a portion of any lead fingers.
(FR)
L'invention concerne des boîtiers de dispositifs à semi-conducteur pouvant comprendre une pastille de fixation de puce et une puce semi-conductrice supportée au-dessus de la pastille de fixation de puce. Un espaceur comprenant un matériau électroconducteur peut être supporté au-dessus de la puce semi-conductrice ou entre la puce semi-conductrice et la pastille de fixation de puce. Une liaison filaire peut s'étendre d'une pastille de connexion sur une surface active de la puce semi-conductrice à l'espaceur. Une autre liaison filaire peut s'étendre de l'espaceur à un doigt conducteur ou à la pastille de fixation de puce. Un matériau d'encapsulation peut encapsuler la puce semi-conductrice, l'espaceur, la liaison filaire, l'autre liaison filaire, la pastille de fixation de puce et une partie de doigts conducteurs quelconques.
Également publié en tant que
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