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1. WO2020091193 - CELLULE SOLAIRE EN SILICIUM À JONCTION DE CONTACT À SÉLECTION DE PORTEURS DE CHARGE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2020/091193
Date de publication 07.05.2020
N° de la demande internationale PCT/KR2019/009026
Date du dépôt international 22.07.2019
CIB
H01L 31/032 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
0248caractérisés par leurs corps semi-conducteurs
0256caractérisés par les matériaux
0264Matériaux inorganiques
032comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés non couverts par les groupes H01L31/0272-H01L31/0312169
H01L 31/0224 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
02Détails
0224Electrodes
H01L 31/0376 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
0248caractérisés par leurs corps semi-conducteurs
036caractérisés par leur structure cristalline ou par l'orientation particulière des plans cristallins
0376comprenant des semi-conducteurs amorphes
H01L 31/18 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
18Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H01L 31/0445 2014.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque
042Modules PV ou matrices de cellules PV individuelles
0445comportant des cellules solaires en couches minces, p.ex. cellules solaires en a-Si, CIS ou CdTe
Déposants
  • 한국생산기술연구원 KOREA INSTITUTE OF INDUSTRIAL TECHNOLOGY [KR]/[KR]
Inventeurs
  • 정채환 JEONG, Chae Hwan
  • 전기석 JEON, Ki Seok
Mandataires
  • 특허법인명 MYUNG IP & LAW FIRM
Données relatives à la priorité
10-2018-013164131.10.2018KR
Langue de publication coréen (KO)
Langue de dépôt coréen (KO)
États désignés
Titre
(EN) CARRIER-SELECTIVE CONTACT JUNCTION SILICON SOLAR CELL AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) CELLULE SOLAIRE EN SILICIUM À JONCTION DE CONTACT À SÉLECTION DE PORTEURS DE CHARGE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(KO) 전하선택접촉접합 실리콘 태양전지 및 그 제조 방법
Abrégé
(EN)
The present invention relates to: a carrier-selective contact junction silicon solar cell using a copper iodide thin film as a carrier-selective contact layer; and a manufacturing method therefor. The carrier-selective contact junction silicon solar cell, according to the present invention, comprises: a conductive silicon substrate; first and second passivation layers positioned on the top surface and the bottom surface, respectively, of the conductive silicon substrate; a hole-selective contact layer formed on the top surface of the first passivation layer; an upper transparent electrode formed on the top surface of the hole-selective contact layer; an upper metal electrode formed on the top part of the upper transparent electrode; an electron-selective contact layer formed on the bottom surface of the second passivation layer; and a lower metal electrode formed on the bottom surface of the electron-selective contact layer, wherein, in order to enable the selective movement of a hole, the hole-selective contact layer is a single-film copper iodide thin film formed by low-temperature annealing a sandwich-structured multilayer film having a copper iodide thin film layered on the top surface and the bottom surface of an iodine thin film.
(FR)
La présente invention concerne : une cellule solaire en silicium à jonction de contact à sélection de porteurs de charge faisant intervenir un film mince d'iodure de cuivre en tant que couche de contact à sélection de porteurs de charge ; et son procédé de fabrication. La cellule solaire au silicium à jonction de contact à sélection de porteurs de charge, selon la présente invention, comprend : un substrat en silicium conducteur ; des première et seconde couches de passivation positionnées sur la surface supérieure et la surface inférieure, respectivement, du substrat en silicium conducteur ; une couche de contact à sélection de trous formée sur la surface supérieure de la première couche de passivation ; une électrode transparente supérieure formée sur la surface supérieure de la couche de contact à sélection de trous ; une électrode métallique supérieure formée sur la partie supérieure de l'électrode transparente supérieure ; une couche de contact à sélection d'électrons formée sur la surface inférieure de la seconde couche de passivation ; et une électrode métallique inférieure formée sur la surface inférieure de la couche de contact à sélection d'électrons, afin de permettre le déplacement sélectif d'un trou, la couche de contact à sélection de trous étant un film mince d'iodure de cuivre à film unique formé par recuit à basse température d'un film multicouche à structure en sandwich comportant un film mince d'iodure de cuivre stratifié sur la surface supérieure et la surface inférieure d'un film mince d'iode.
(KO)
본 발명은 전하 선택 접촉층으로 아이오딘화 구리 박막을 이용하는 전하선택접촉접합 실리콘 태양전지 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 전하선택접촉접합 실리콘 태양전지는, 도전형 실리콘 기판, 상기 도전형 실리콘 기판의 상면과 하면에 각각 위치하는 제1 및 제2 패시베이션층, 상기 제1 패시베이션층 상면에 형성되는 정공 선택 접촉층, 상기 정공 선택 접촉층 상면에 형성되는 상부 투명 전극, 상기 상부 투명 전극 상부에 형성되는 상부 금속 전극, 상기 제2 패시베이션층 하면에 형성되는 전자 선택 접촉층, 상기 전자 선택 접촉층 하면에 형성되는 하부 금속 전극을 포함하되, 상기 정공 선택 접촉층은 정공의 선택적 이동을 위하여 아이오딘 박막의 상면과 하면에 아이오딘화 구리 박막이 겹쳐진 샌드위치 구조 다층막을 저온 열처리하여 단일막의 아이오딘화 구리 박막인 것을 특징으로 한다.
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