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1. WO2020091000 - COMPOSITION DE POLISSAGE FAISANT APPEL À DES PARTICULES DE POLISSAGE AYANT UNE HAUTE AFFINITÉ POUR L'EAU

Numéro de publication WO/2020/091000
Date de publication 07.05.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/042889
Date du dépôt international 31.10.2019
CIB
H01L 21/304 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
B24B 37/00 2012.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
24MEULAGE; POLISSAGE
BMACHINES, DISPOSITIFS OU PROCÉDÉS POUR MEULER OU POUR POLIR; DRESSAGE OU REMISE EN ÉTAT DES SURFACES ABRASIVES; ALIMENTATION DES MACHINES EN MATÉRIAUX DE MEULAGE, DE POLISSAGE OU DE RODAGE
37Machines ou dispositifs de rodage; Accessoires
C09K 3/14 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
09COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
KSUBSTANCES POUR DES APPLICATIONS NON PRÉVUES AILLEURS; APPLICATIONS DE SUBSTANCES NON PRÉVUES AILLEURS
3Substances non couvertes ailleurs
14Substances antidérapantes; Abrasifs
Déposants
  • 日産化学株式会社 NISSAN CHEMICAL CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 三井 滋 MITSUI, Shigeru
  • 西村 透 NISHIMURA, Tohru
  • 石水 英一郎 ISHIMIZU, Eiichiro
Mandataires
  • 特許業務法人はなぶさ特許商標事務所 HANABUSA PATENT & TRADEMARK OFFICE
Données relatives à la priorité
2018-20641401.11.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) POLISHING COMPOSITION USING POLISHING PARTICLES THAT HAVE HIGH WATER AFFINITY
(FR) COMPOSITION DE POLISSAGE FAISANT APPEL À DES PARTICULES DE POLISSAGE AYANT UNE HAUTE AFFINITÉ POUR L'EAU
(JA) 水親和性の高い研磨粒子を用いた研磨用組成物
Abrégé
(EN)
[Problem] To provide a polish composition having a high polishing rate and capable of suppressing the occurrence of defects, when used for CMP polishing for a device wafer. [Solution] This polishing composition includes silica particles, wherein the silica particles are based on a colloidal silica dispersion, and the measured value of pulsed NMR of the dispersion, Rsp=(Rav-Rb)/(Rb), is 0.15-0.7, and the shape factor, SF1 = (area of a circle, derived by using the maximum particle diameter of the particles as the diameter of the circle)/(projected area), of the silica particles, is 1.20-1.80. Rsp is an index indicating water affinity, Rav is the reciprocal of the relaxation time of the colloidal silica dispersion, and Rb is the reciprocal of the relaxation time of the blank aqueous solution excluding the silica particles in the colloidal silica dispersion. The colloidal silica dispersion has an average particle diameter of 40-200 nm as measured by a dynamic light scattering method, and the silica particles in the dispersion have an average primary particle diameter of 10-80 nm as measured by a nitrogen gas adsorption method.
(FR)
Le problème décrit par la présente invention est de fournir une composition de polissage ayant un taux de polissage élevé et pouvant supprimer l'apparition de défauts, lorsqu'elle est utilisée pour un polissage CMP d'une tranche de dispositif. La solution selon l'invention porte sur une composition de polissage comprenant des particules de silice, les particules de silice étant basées sur une dispersion de silice colloïdale, et la valeur mesurée de RMN pulsée de la dispersion, Rsp=(Rav-Rb)/(Rb), s'inscrivant dans la plage de 0,15 à 0,7, et le facteur de forme, SF1 = (surface d'un cercle, dérivée au moyen du diamètre de particule maximal des particules en tant que diamètre du cercle)/(surface projetée), des particules de silice, s'inscrivant dans la plage de 1,20 à 1,80. Rsp est un indice indiquant l'affinité pour l'eau, Rav est la réciproque du temps de relaxation de la dispersion de silice colloïdale, et Rb est la réciproque du temps de relaxation de la solution aqueuse témoin à l'exclusion des particules de silice dans la dispersion de silice colloïdale. La dispersion de silice colloïdale a un diamètre de particule moyen de 40 à 200 nm tel que mesuré par un procédé de diffusion de lumière dynamique, et les particules de silice de la dispersion ont un diamètre de particule primaire moyen s'inscrivant dans la plage de 10 à 80 nm tel que mesuré par un procédé d'adsorption de gaz d'azote.
(JA)
【課題】 デバイスウエハのCMP研磨に用いて高い研磨速度とデフェクトの発生を抑制する事が可能な研磨用組成物の提供。 【解決手段】 シリカ粒子を含む研磨用組成物であって、該シリカ粒子がコロイド状シリカ分散液に基づき、その分散液のパルスNMRの測定値Rsp=(Rav-Rb)/(Rb)が0.15~0.7であり、且つ該シリカ粒子の形状係数SF1=(粒子の最大径を直径とする円の面積)/(投影面積)が1.20~1.80である上記研磨用組成物。Rspは水親和性を示す指標であり、Ravはコロイド状シリカ分散液の緩和時間逆数であり、Rbはコロイド状シリカ分散液においてシリカ粒子を除いたブランク水溶液の緩和時間逆数である。コロイド状シリカ分散液の動的光散乱法により測定した平均粒子径が40~200nmであり、該分散液中のシリカ粒子は窒素ガス吸着法により測定した平均一次粒子径が10~80nmである。
Également publié en tant que
KR1020207007455
KRKR1020207007455
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