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1. WO2020090977 - CIBLE DE PULVÉRISATION D'YTTRIUM ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM FAISANT APPEL À CELLE-CI

Numéro de publication WO/2020/090977
Date de publication 07.05.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/042778
Date du dépôt international 31.10.2019
CIB
C23C 14/34 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22caractérisé par le procédé de revêtement
34Pulvérisation cathodique
C23C 14/08 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
06caractérisé par le matériau de revêtement
08Oxydes
Déposants
  • 株式会社 東芝 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA [JP]/[JP]
  • 東芝マテリアル株式会社 TOSHIBA MATERIALS CO., LTD. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 小松 透 KOMATSU, Tooru
  • 日野 高志 HINO, Takashi
Mandataires
  • 特許業務法人 東京国際特許事務所 TOKYO INTERNATIONAL PATENT FIRM
Données relatives à la priorité
2018-20728502.11.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) YTTRIUM SPUTTERING TARGET AND FILM-FORMING METHOD USING SAME
(FR) CIBLE DE PULVÉRISATION D'YTTRIUM ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM FAISANT APPEL À CELLE-CI
(JA) イットリウム製スパッタリングターゲットおよびそれを用いた成膜方法
Abrégé
(EN)
Provided is a yttrium sputtering target characterized by having a maximum pore radius of 1 mm or less. Additionally, the number of pores existing on a cross-section of the yttrium sputtering target is preferably 0-2. Additionally, the maximum length of cracks is preferably 3 mm or less. Additionally, the tensile strength of the yttrium sputtering target is preferably 100 MPa or higher.
(FR)
L'invention concerne une cible de pulvérisation d'yttrium caractérisée en ce qu'elle présente un rayon de pores maximal inférieur ou égal à 1 mm. De plus, le nombre de pores présent sur une section transversale de la cible de pulvérisation d'yttrium est de préférence de 0 à 2. De plus, la longueur maximale des fissures est de préférence inférieure ou égale à 3 mm. De plus, la résistance à la traction de la cible de pulvérisation d'yttrium est de préférence supérieure ou égale à 100 MPa.
(JA)
ポアの最大径が1mm以下であることを特徴とするイットリウム製スパッタリングターゲット。また、イットリウム製スパッタリングターゲットの任意の断面中に存在するポアの個数が0個以上2個以下であることが好ましい。また、クラックの最大長さが3mm以下であることが好ましい。また、イットリウム製スパッタリングターゲットの引張強さが100MPa以上であることが好ましい。
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