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1. WO2020089786 - MICRODISPOSITIFS À BASE DE GRAPHÈNE À FAIBLE COÛT AYANT DES VALEURS RÉSISTIVES À ÉTATS MULTIPLES

Numéro de publication WO/2020/089786
Date de publication 07.05.2020
N° de la demande internationale PCT/IB2019/059260
Date du dépôt international 29.10.2019
CIB
H01L 45/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
45Dispositifs à l'état solide spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la production d'oscillations ou la commutation, sans barrière de potentiel ni barrière de surface, p.ex. triodes diélectriques; Dispositifs à effet Ovshinsky; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
Déposants
  • KHALIFA UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY [AE]/[AE]
Inventeurs
  • ALAZZAM, Anas
  • ABUNAHLA, Heba
  • MOHAMMAD, Baker
Mandataires
  • AL TAMIMI & COMPANY
Données relatives à la priorité
62/752,38930.10.2018US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) LOW COST GRAPHENE-BASED MICRODEVICES WITH MULTI-STATE RESISTIVE VALUES
(FR) MICRODISPOSITIFS À BASE DE GRAPHÈNE À FAIBLE COÛT AYANT DES VALEURS RÉSISTIVES À ÉTATS MULTIPLES
Abrégé
(EN)
There is provided a planar graphene oxide (GO)-based device comprising of multiple resistance state elements in response to an applied voltage and wherein the multiple resistance state elements mimic neural synapse behaviour. The device has multiple application potentials including but not limited to non-volatile electronic memory, sensors, computing for Artificial intelligence (AI) and security. Also disclosed is method of manufacturing a memristor microdevice comprising the steps of patterning metal layer and graphene oxide or reduced graphene oxide thin films on different substrates and producing reduced graphene oxide (rGO) thin film through reduction of the graphene oxide layer. Fabricating thin films of graphene oxide and reduced graphene oxide in the microdevice from an aqueous solution of graphene oxide, results in making the process simple, cost effective, and suitable for mass production of the microdevice.
(FR)
L'invention concerne un dispositif à base d'oxyde de graphène planaire (GO) comprenant des éléments à états multiples de résistance en réponse à une tension appliquée et la pluralité d'éléments à états multiples de résistance imitent le comportement de synapses neurales. Le dispositif présente plusieurs potentiels d'application comprenant, mais de manière non limitative, une mémoire électronique non volatile, des capteurs, une capacité de calcul pour une intelligence artificielle (AI) et la sécurité. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'un microdispositif à memristance comprenant les étapes suivantes: la modélisation d'une couche métallique et de l'oxyde de graphène ou des films minces d'oxyde de graphène réduit sur différents substrats et la production d'un film mince d'oxyde de graphène réduit (rGO) par réduction de la couche d'oxyde de graphène. La fabrication de couches minces d'oxyde de graphène et d'oxyde de graphène réduit dans le microdispositif à partir d'une solution aqueuse d'oxyde de graphène, permet à rendre le processus simple, économique et approprié pour la production en masse du microdispositif.
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