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1. WO2020089726 - DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS

Numéro de publication WO/2020/089726
Date de publication 07.05.2020
N° de la demande internationale PCT/IB2019/058935
Date du dépôt international 21.10.2019
CIB
H01L 51/50 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
50spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
H05B 33/14 2006.01
HÉLECTRICITÉ
05TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
BCHAUFFAGE ÉLECTRIQUE; ÉCLAIRAGE ÉLECTRIQUE NON PRÉVU AILLEURS
33Sources lumineuses électroluminescentes
12Sources lumineuses avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions
14caractérisées par la composition chimique ou physique ou la disposition du matériau électroluminescent
G09F 9/30 2006.01
GPHYSIQUE
09ENSEIGNEMENT; CRYPTOGRAPHIE; PRÉSENTATION; PUBLICITÉ; SCEAUX
FPRÉSENTATION; PUBLICITÉ; ENSEIGNES; ÉTIQUETTES OU PLAQUES D'IDENTIFICATION; SCEAUX
9Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels
30dans lesquels le ou les caractères désirés sont formés par une combinaison d'éléments individuels
H01L 21/336 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335Transistors à effet de champ
336à grille isolée
H01L 29/786 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
78l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786Transistors à couche mince
Déposants
  • 株式会社半導体エネルギー研究所 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 中田 昌孝 NAKADA, Masataka
  • 井口 貴弘 IGUCHI, Takahiro
  • 保坂 泰靖 HOSAKA, Yasuharu
  • 重信 匠 SHIGENOBU, Takumi
Données relatives à la priorité
2018-20722602.11.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置
Abrégé
(EN)
Provided is a semiconductor device having good electrical characteristics. Provided is a semiconductor device having high reliability. Provided is a semiconductor having stable electrical characteristics. The semiconductor device includes a semiconductor layer, a first insulation layer, a metal oxide layer, a conductive layer, and an insulation area. The first insulation layer covers the top surface and side surfaces of the semiconductor layer, and the conductive layer is positioned on the first insulation layer. The metal oxide layer is positioned between the first insulation layer and the conductive layer, and an end part of the metal oxide layer is positioned at a more inward side than an end part of the conductive layer. The insulation area is adjacent to the metal oxide layer, and is positioned between the first insulation layer and the conductive layer. In addition, the semiconductor layer includes a first area, a pair of second areas, and a pair of third areas. The first area overlaps the metal oxide layer and the conductive layer. The second areas, between which the first area is interposed, overlap the insulation area and the conductive layer. The third areas, between which the first area and the pair of the second areas are interposed, do not overlap the conductive layer. The third area preferably includes a part having lower resistance than the first area. The second area preferably includes a part having higher resistance than the third area.
(FR)
La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteurs ayant de bonnes caractéristiques électriques. L'invention concerne un dispositif à semi-conducteurs ayant une haute fiabilité. L'invention concerne un dispositif à semi-conducteurs ayant des caractéristiques électriques stables. Le dispositif à semi-conducteurs comprend une couche semi-conductrice, une première couche d'isolation, une couche d'oxyde métallique, une couche conductrice, et une zone d'isolation. La première couche d'isolation recouvre la surface supérieure et les surfaces latérales de la couche semi-conductrice, et la couche conductrice est positionnée sur la première couche d'isolation. La couche d'oxyde métallique est positionnée entre la première couche d'isolation et la couche conductrice, et une partie d'extrémité de la couche d'oxyde métallique est positionnée au niveau d'un côté plus à l'intérieur qu'une partie d'extrémité de la couche conductrice. La zone d'isolation est adjacente à la couche d'oxyde métallique, et est positionnée entre la première couche d'isolation et la couche conductrice. En outre, la couche semi-conductrice comprend une première zone, une paire de deuxièmes zones, et une paire de troisièmes zones. La première zone chevauche la couche d'oxyde métallique et la couche conductrice. Les deuxièmes zones, entre lesquelles la première zone est interposée, chevauchent la zone d'isolation et la couche conductrice. Les troisièmes zones, entre lesquelles la première zone et la paire de deuxièmes zones sont interposées, ne chevauchent pas la couche conductrice. La troisième zone comprend de préférence une partie ayant une résistance inférieure à la première zone. La deuxième zone comprend de préférence une partie présentant une résistance supérieure à celle de la troisième zone.
(JA)
電気特性の良好な半導体装置を提供する。信頼性の高い半導体装置を提供する。電気特性の安定した半導体装置を提供する。半導体装置は、半導体層と、第1の絶縁層と、金属酸化物層と、導電層と、絶縁領域と、を有する。第1の絶縁層は、半導体層の上面及び側面を覆い、導電層は、第1の絶縁層上に位置する。金属酸化物層は、第1の絶縁層と導電層との間に位置し、金属酸化物層の端部は、導電層の端部よりも内側に位置する。絶縁領域は、金属酸化物層と隣接し、且つ第1の絶縁層と導電層との間に位置する。また、半導体層は、第1の領域と、一対の第2の領域と、一対の第3の領域と、を有する。第1の領域は、金属酸化物層及び導電層と重なる。第2の領域は、第1の領域を挟み、絶縁領域及び導電層と重なる。第3の領域は、第1の領域及び一対の第2の領域を挟み、且つ導電層と重ならない。第3の領域は、第1の領域よりも低抵抗である部分を含むことが好ましい。第2の領域は、第3の領域よりも高抵抗である部分を含むことが好ましい。
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