Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Goto Application

1. WO2020087940 - PROCÉDÉ DE LIAISON DE PUCE POUR DEL ET DISPOSITIF DE PULVÉRISATION

Numéro de publication WO/2020/087940
Date de publication 07.05.2020
N° de la demande internationale PCT/CN2019/091463
Date du dépôt international 17.06.2019
CIB
H01L 33/00 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
H01L 33/48 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
H01L 21/67 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
CPC
H01L 21/67126
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67126Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
H01L 21/6715
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
H01L 33/005
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
005Processes
H01L 33/48
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
Déposants
  • 武汉华星光电技术有限公司 WUHAN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 杨勇 YANG, Yong
Mandataires
  • 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) ESSEN PATENT&TRADEMARK AGENCY
Données relatives à la priorité
201811270957.229.10.2018CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) DIE BONDING METHOD FOR LED AND SPRAYING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE LIAISON DE PUCE POUR DEL ET DISPOSITIF DE PULVÉRISATION
(ZH) LED的固晶方法及喷涂装置
Abrégé
(EN)
A die bonding method for an LED and a spraying device, comprising: providing a substrate provided with a bonding pad and a white oil layer covering a circuit; then, placing a steel mesh on the substrate; then, spraying a suspension containing solder paste on the bonding pad by means of the spraying device to form a solder paste film layer; and finally, carrying out a reflow soldering process. The solder paste is prepared on the bonding pad by means of spray coating, thereby avoiding the phenomenon that a chip is tilted or short-circuited due to the pulling of the solder paste in the reflow soldering process, and further avoiding the uneven brightness of the surface light source.
(FR)
Un procédé de liaison de puce pour une DEL et un dispositif de pulvérisation, comprenant : la fourniture d'un substrat pourvu d'un plot de connexion et d'une couche d'huile blanche recouvrant un circuit ; puis, la mise en place d'un maillage d'acier sur le substrat ; ensuite, la pulvérisation d'une suspension contenant de la pâte à braser sur le plot de connexion au moyen du dispositif de pulvérisation pour former une couche de film de pâte à braser ; et enfin, la réalisation d'un procédé de soudage par refusion. La pâte à braser est préparée sur le plot de connexion au moyen d'un revêtement par pulvérisation, ce qui permet d'éviter le phénomène selon lequel une puce est inclinée ou court-circuitée en raison de la traction de la pâte à braser dans le processus de soudage par refusion, et en évitant en outre la luminosité irrégulière de la source de lumière de surface.
(ZH)
一种LED的固晶方法及喷涂装置,包括提供一设置有焊盘和覆盖线路的白油层的基板,再在基板上放置钢网,然后通过喷涂装置将含有锡膏的悬浊液喷涂在焊盘上,形成锡膏膜层,最后进行回流焊工艺。通过采用喷涂的方式将锡膏制备在焊盘上,避免了芯片在回流焊过程中受到锡膏拉扯而倾斜或短路,进而改善面光源亮度不均匀的现象。
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international