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1. WO2020087525 - SUBSTRAT MATRICIEL ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION AINSI QUE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE

Numéro de publication WO/2020/087525
Date de publication 07.05.2020
N° de la demande internationale PCT/CN2018/113792
Date du dépôt international 02.11.2018
CIB
H01L 27/12 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
12le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
CPC
H01L 27/124
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
12the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
1214comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
124with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
H01L 27/1259
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
12the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
1214comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
1259Multistep manufacturing methods
H01L 27/1274
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
12the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
1214comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
1259Multistep manufacturing methods
127with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement
1274using crystallisation of amorphous semiconductor or recrystallisation of crystalline semiconductor
H01L 27/156
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
15including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
153in a repetitive configuration, e.g. LED bars
156two-dimensional arrays
Déposants
  • 京东方科技集团股份有限公司 BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 李海旭 LI, Haixu
Mandataires
  • 北京市柳沈律师事务所 LIU, SHEN & ASSOCIATES
Données relatives à la priorité
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) ARRAY SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR AS WELL AS ELECTRONIC DEVICE
(FR) SUBSTRAT MATRICIEL ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION AINSI QUE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(ZH) 阵列基板及其制作方法、电子装置
Abrégé
(EN)
Disclosed are an array substrate and a manufacturing method therefor as well as an electronic device. a base substrate (1), a thin film transistor (3), a first connecting electrode (41) and a first insulating layer (51). A light emitting device (2) and the thin film transistor (3) are arranged on the base substrate (1); the thin film transistor (3) comprises a first electrode (31) and a second electrode (32); the thin film transistor (3) comprises a first electrode (31) and a second electrode (32); the first connecting electrode (41) is arranged at a layer different to the first electrode (31) and is electrically connected with the first electrode (31); the first insulating layer (51) covers at least a part of the first connecting electrode (41); the area of an orthographic projection of the first connecting electrode (41) on the base substrate (1) is greater than that of the first electrode (31) on the base substrate (1); and the first insulating layer (51) is made of an organic insulating material. The array substrate can, in the manufacturing process thereof, prevent devices from being damaged while satisfying the larger current demands of the light emitting device and guaranteeing high-density arrangement of the thin film transistor and the light emitting device.
(FR)
L'invention concerne un substrat matriciel et son procédé de fabrication ainsi qu'un dispositif électronique. Un substrat de base (1), un transistor à couches minces (3), une première électrode de connexion (41) et une première couche isolante (51). Un dispositif électroluminescent (2) et le transistor à couches minces (3) sont disposés sur le substrat de base (1) ; le transistor à couches minces (3) comprend une première électrode (31) et une seconde électrode (32) ; le transistor à couches minces (3) comprend une première électrode (31) et une seconde électrode (32) ; la première électrode de connexion (41) est disposée au niveau d'une couche différente de la première électrode (31) et est électriquement connectée à la première électrode (31) ; la première couche isolante (51) recouvre au moins une partie de la première électrode de connexion (41) ; la zone d'une projection orthographique de la première électrode de connexion (41) sur le substrat de base (1) est supérieure à celle de la première électrode (31) sur le substrat de base (1) ; et la première couche isolante (51) est constituée d'un matériau isolant organique. Le substrat matriciel peut, dans le processus de fabrication de celui-ci, empêcher des dispositifs d'être endommagés tout en satisfaisant les demandes de courant plus grands du dispositif électroluminescent et garantir un agencement à haute densité du transistor à couches minces et du dispositif électroluminescent.
(ZH)
一种阵列基板及其制作方法以及电子装置。该阵列基板(10)包括:衬底基板(1)、薄膜晶体管(3)、第一连接电极(41)和第一绝缘层(51)。发光器件(2)和薄膜晶体管(3)设置于衬底基板(1)上;薄膜晶体管(3)包括第一电极(31)和第二电极(32);第一连接电极(41)与第一电极(31)异层设置且与所述第一电极(31)电连接;第一绝缘层(51)覆盖至少部分第一连接电极(41);所述第一连接电极(41)在所述衬底基板(1)的正投影的面积大于所述第一电极(31)在所述衬底基板(1)的正投影的面积;第一绝缘层(51)的材料为有机绝缘材料。该阵列基板在满足发光器件的较大的电流需求,以及保证薄膜晶体管和发光器件的高密度排布的同时,能够防止损伤阵列基板制备过程中的设备。
Également publié en tant que
CN201880001916.5
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