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1. WO2020071168 - DISPOSITIF LASER À SEMI-CONDUCTEUR

Numéro de publication WO/2020/071168
Date de publication 09.04.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/037231
Date du dépôt international 24.09.2019
CIB
H01S 5/022 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
02Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
022Supports; Boîtiers
CPC
H01S 5/022
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
022Mountings; Housings
Déposants
  • ローム株式会社 ROHM CO., LTD. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 田尻 浩之 TAJIRI Hiroyuki
  • 酒井 賢司 SAKAI Kenji
  • 泉 和剛 IZUMI Kazuyoshi
Mandataires
  • 吉田 稔 YOSHIDA Minoru
  • 臼井 尚 USUI Takashi
Données relatives à la priorité
2018-18645601.10.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR LASER DEVICE
(FR) DISPOSITIF LASER À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体レーザ装置
Abrégé
(EN)
A semiconductor laser device A1 according to the present invention is provided with: a semiconductor laser chip 2; and a stem 1 which comprises a base 11 and leads 3A, 3B, 3C that are affixed to the base 11, and which supports the semiconductor laser chip 2. The semiconductor laser device A1 is additionally provided with a first metal layer 15 which comprises: a first layer 151 that covers the base 11 and the leads 3A, 3B, 3C; a second layer 152 that is interposed between the first layer 151 and the base 11 and the leads 3A, 3B, 3C; and a third layer 153 that is interposed between the second layer 152 and the base 11 and the leads 3A, 3B, 3C. The crystal grains of the second layer 152 are smaller than the crystal grains of the third layer 153. Corrosion is able to be suppressed due to this configuration.
(FR)
Un dispositif laser à semi-conducteur A1 selon la présente invention comprend : une puce laser semi-conductrice 2 ; et une tige 1 qui comprend une base 11 et des fils 3A, 3B, 3C qui sont fixés à la base 11, et qui supporte la puce laser semi-conductrice 2. Le dispositif laser à semi-conducteur A1 comprend en outre une première couche métallique 15 qui comprend : une première couche 151 qui recouvre la base 11 et les fils 3A, 3B, 3C ; une deuxième couche 152 qui est interposée entre la première couche 151 et la base 11 et les fils 3A, 3B, 3C ; et une troisième couche 153 qui est interposée entre la deuxième couche 152 et la base 11 et les fils 3A, 3B, 3C. Les grains cristallins de la deuxième couche 152 sont plus petits que les grains cristallins de la troisième couche 153. Une corrosion peut être empêchée grâce à cette configuration.
(JA)
半導体レーザ装置A1は、半導体レーザチップ2と、ベース11およびベース11に固定されたリード3A,3B,3Cを含み、半導体レーザチップ2を支持するステム1と、を備える。半導体レーザ装置A1は、ベース11およびリード3A,3B,3Cを覆う第1層151と、ベース11およびリード3A,3B,3Cと第1層151との間に介在する第2層152と、ベース11およびリード3A,3B,3Cと第2層152との間に介在する第3層153と、を含む第1金属層15をさらに備える。第2層152の結晶粒は、第3層153の結晶粒よりも小さい。このような構成により、腐食を抑制することができる。
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