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1. WO2020067357 - STRUCTURE CÉRAMIQUE ET SYSTÈME DE TRANCHE

Numéro de publication WO/2020/067357
Date de publication 02.04.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/037996
Date du dépôt international 26.09.2019
CIB
H01L 21/683 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
683pour le maintien ou la préhension
H05B 3/28 2006.01
HÉLECTRICITÉ
05TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
BCHAUFFAGE ÉLECTRIQUE; ÉCLAIRAGE ÉLECTRIQUE NON PRÉVU AILLEURS
3Chauffage par résistance ohmique
20Eléments chauffants ayant une surface s'étendant essentiellement dans deux dimensions, p.ex. plaques chauffantes
22non flexibles
28le conducteur chauffant enrobé dans un matériau isolant
CPC
H01L 21/683
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
683for supporting or gripping
H05B 3/28
HELECTRICITY
05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
3Ohmic-resistance heating
20Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater
22non-flexible
28heating conductor embedded in insulating material
Déposants
  • 京セラ株式会社 KYOCERA CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 川邊 保典 KAWANABE, Yasunori
  • 大川 善裕 OKAWA, Yoshihiro
Mandataires
  • 飯島 康弘 IIJIMA, YASUHIRO
Données relatives à la priorité
2018-18397128.09.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) CERAMIC STRUCTURE, AND WAFER SYSTEM
(FR) STRUCTURE CÉRAMIQUE ET SYSTÈME DE TRANCHE
(JA) セラミック構造体及びウェハ用システム
Abrégé
(EN)
In the present invention, a heater has a substrate, a resistance heating element, and a terminal. The substrate is shaped as a plate formed from a ceramic. The resistance heating element is positioned inside the substrate. The terminal is electrically connected to the resistance heating element, is positioned so as to be partially inside the substrate, and is exposed from the lower surface of the substrate to the exterior of the substrate. The substrate has a hole that opens toward the lower surface. The terminal has a connection conductor. The connection conductor is inserted into the hole and connected to the resistance heating element. The lower surface of the connection conductor is positioned more toward the upper surface of the substrate compared to the lower surface of the substrate. Between the lower surface of the connection conductor and the lower surface of the substrate, the hole has a reduced-diameter part where the hole diameter is smaller than the diameter of the connection conductor.
(FR)
La présente invention concerne un dispositif chauffant comprenant un substrat, un élément chauffant à résistance et une borne. Le substrat est façonné sous la forme d'une plaque formée à partir d'une céramique. L'élément chauffant à résistance est positionné à l'intérieur du substrat. La borne est électriquement connectée à l'élément chauffant à résistance, est positionnée de manière à se trouver partiellement à l'intérieur du substrat, et est exposée à partir de la surface inférieure du substrat à l'extérieur du substrat. Le substrat comporte un trou qui débouche vers la surface inférieure. La borne comporte un conducteur de connexion. Le conducteur de connexion est inséré dans le trou et est connecté à l'élément chauffant à résistance. La surface inférieure du conducteur de connexion est positionnée davantage vers la surface supérieure du substrat par rapport à la surface inférieure du substrat. Entre la surface inférieure du conducteur de connexion et la surface inférieure du substrat, le trou comporte une partie à diamètre réduit au niveau de laquelle le diamètre de trou est inférieur au diamètre du conducteur de connexion.
(JA)
ヒータは、基体と、抵抗発熱体と、端子部とを有している。基体は、セラミックからなる板状である。抵抗発熱体は、基体内に位置している。端子部は、抵抗発熱体に電気的に接続されており、少なくとも一部が基体内に位置しており、基体の下面から基体の外部へ露出している。基体は、下面に開口する穴を有している。端子部は、接続導体を有している。接続導体は、穴に挿入されて抵抗発熱体に接続されている。接続導体の下面は、基体の下面よりも基体の上面側に位置している。穴は、接続導体の下面から基体の下面までの間に接続導体の径よりも径が小さい縮径部を有している。
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