Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Goto Application

1. WO2020067059 - DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE

Numéro de publication WO/2020/067059
Date de publication 02.04.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/037368
Date du dépôt international 24.09.2019
CIB
H01L 21/60 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
60Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
H01L 23/48 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
H01L 25/07 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
07les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L29/81
H01L 25/18 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
18les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes H01L27/-H01L51/166
H02M 7/48 2007.01
HÉLECTRICITÉ
02PRODUCTION, CONVERSION OU DISTRIBUTION DE L'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE
MAPPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALIMENTATION SIMILAIRES; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION
7Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu; Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif
42Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité
44par convertisseurs statiques
48utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
CPC
H01L 23/48
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements
H01L 25/07
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
03all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L51/00, e.g. assemblies of rectifier diodes
04the devices not having separate containers
07the devices being of a type provided for in group H01L29/00
H01L 25/18
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
18the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L51/00
H02M 7/48
HELECTRICITY
02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
7Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
42Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
44by static converters
48using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
Déposants
  • 三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 小川 翔平 OGAWA, Shohei
  • 藤野 純司 FUJINO, Junji
  • 石山 祐介 ISHIYAMA, Yusuke
  • 大島 功 OSHIMA, Isao
  • 重本 拓巳 SHIGEMOTO, Takumi
Mandataires
  • 特許業務法人深見特許事務所 FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.
Données relatives à la priorité
2018-18015426.09.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, POWER CONVERSION DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE
(JA) 半導体装置、電力変換装置、及び半導体装置の製造方法
Abrégé
(EN)
This semiconductor device is provided with: a substrate (10); a semiconductor element (21) that is disposed on the substrate (10); a plate-like member (51) that is electrically connected to the semiconductor element (21); a first electrode (21a) that is formed on the semiconductor element (21) and joined to the plate-like member (51) by means of solder (41); a second electrode (21b) that includes a metal capable of forming an alloy with the solder (41) and that is formed away from the first electrode (21a) on the semiconductor element (21); and a metal film (21c) that includes a metal capable of forming an alloy with the solder (41) and that is formed away from the second electrode (21b) on the semiconductor element (21) in a region closer to the first electrode (21a) as seen from the second electrode (21b) in a plan view where the semiconductor element (21) is seen from the plate-like member (51).
(FR)
L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur comprenant : un substrat (10) ; un élément semi-conducteur (21) qui est disposé sur le substrat (10) ; un élément de type plaque (51) qui est électriquement connecté à l'élément semi-conducteur (21) ; une première électrode (21a) qui est formée sur l'élément semi-conducteur (21) et reliée à l'élément en forme de plaque (51) au moyen d'une brasure (41) ; une seconde électrode (21b) qui comprend un métal apte à former un alliage avec la brasure (41) et qui est formée à l'opposé de la première électrode (21a) sur l'élément semi-conducteur (21) ; et un film métallique (21c) qui comprend un métal apte à former un alliage avec la brasure (41) et qui est formé à l'opposé de la seconde électrode (21b) sur l'élément semi-conducteur (21) dans une région plus proche de la première électrode (21a) telle que vue depuis la seconde électrode (21b) dans une vue en plan où l'élément semi-conducteur (21) est vu depuis l'élément de type plaque (51).
(JA)
半導体装置は、基板(10)と、基板(10)の上に配置された半導体素子(21)と、半導体素子(21)と電気的に接続される板状部材(51)と、半導体素子(21)の上に形成され、板状部材(51)とはんだ(41)により接合される第一電極(21a)と、半導体素子(21)の上に第一電極(21a)と離間して形成され、はんだ(41)と合金形成可能な金属を含む第二電極(21b)と、板状部材(51)から半導体素子(21)を見た平面視において、第二電極(21b)から見て第一電極(21a)側の領域に第二電極(21b)と離間して半導体素子(21)の上に形成され、はんだ(41)と合金形成可能な金属を含む金属膜(21c)と、を備える。
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international