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1. WO2020066968 - PÂTE CONDUCTRICE

Numéro de publication WO/2020/066968
Date de publication 02.04.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/037179
Date du dépôt international 24.09.2019
CIB
H01B 1/22 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
BCÂBLES; CONDUCTEURS; ISOLATEURS; EMPLOI DE MATÉRIAUX SPÉCIFIÉS POUR LEURS PROPRIÉTÉS CONDUCTRICES, ISOLANTES OU DIÉLECTRIQUES
1Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisés; Emploi de matériaux spécifiés comme conducteurs
20Matériau conducteur dispersé dans un matériau organique non conducteur
22le matériau conducteur comportant des métaux ou des alliages
B22F 1/00 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
22FONDERIE; MÉTALLURGIE DES POUDRES MÉTALLIQUES
FTRAVAIL DES POUDRES MÉTALLIQUES; FABRICATION D'OBJETS À PARTIR DE POUDRES MÉTALLIQUES; FABRICATION DE POUDRES MÉTALLIQUES; APPAREILS OU DISPOSITIFS SPÉCIALEMENT ADAPTÉS AUX POUDRES MÉTALLIQUES
1Traitement particulier des poudres métalliques, p.ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre, d'améliorer leurs propriétés; Poudres métalliques en soi, p.ex. mélanges de particules de compositions différentes
B22F 9/00 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
22FONDERIE; MÉTALLURGIE DES POUDRES MÉTALLIQUES
FTRAVAIL DES POUDRES MÉTALLIQUES; FABRICATION D'OBJETS À PARTIR DE POUDRES MÉTALLIQUES; FABRICATION DE POUDRES MÉTALLIQUES; APPAREILS OU DISPOSITIFS SPÉCIALEMENT ADAPTÉS AUX POUDRES MÉTALLIQUES
9Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensions; Appareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet
H01B 1/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
BCÂBLES; CONDUCTEURS; ISOLATEURS; EMPLOI DE MATÉRIAUX SPÉCIFIÉS POUR LEURS PROPRIÉTÉS CONDUCTRICES, ISOLANTES OU DIÉLECTRIQUES
1Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisés; Emploi de matériaux spécifiés comme conducteurs
H01L 21/52 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
52Montage des corps semi-conducteurs dans les conteneurs
CPC
B22F 1/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
22CASTING; POWDER METALLURGY
FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER
1Special treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working, to improve properties
B22F 9/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
22CASTING; POWDER METALLURGY
FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER
9Making metallic powder or suspensions thereof
H01B 1/00
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
1Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
H01B 1/22
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
1Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
20Conductive material dispersed in non-conductive organic material
22the conductive material comprising metals or alloys
H01L 21/52
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, ; e.g. sealing of a cap to a base of a container
52Mounting semiconductor bodies in containers
Déposants
  • ナミックス株式会社 NAMICS CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 梶田 昌志 KAJITA Masashi
  • 北村 昌広 KITAMURA Masahiro
  • 樋口 貴之 HIGUCHI Takayuki
  • 水村 宜司 MIZUMURA Noritsuka
Mandataires
  • 特許業務法人 津国 TSUKUNI & ASSOCIATES
  • 山村 大介 YAMAMURA Daisuke
Données relatives à la priorité
2018-18387928.09.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) CONDUCTIVE PASTE
(FR) PÂTE CONDUCTRICE
(JA) 導電性ペースト
Abrégé
(EN)
The present invention addresses the problem of providing a conductive paste which enables a conductor that is obtained after firing of the conductive paste to achieve a good balance between low resistance and high adhesive strength (die shear strength). The present invention provides conductive paste which contains: (A) copper fine particles that have an average particle diameter of from 50 nm to 400 nm (inclusive), while having a crystallite diameter of from 20 nm to 50 nm (inclusive); (B) copper particles that have an average particle diameter of from 0.8 μm to 5 μm (inclusive), while having a ratio of the crystallite diameter thereof to the crystallite diameter of the copper fine particles (A) of from 1.0 to 2.0 (inclusive); and (C) a solvent.
(FR)
La présente invention aborde le problème de la fourniture d'une pâte conductrice qui permet à un conducteur qui est obtenu après cuisson de la pâte conductrice de réaliser un bon équilibre entre une faible résistance et une force d'adhérence élevée (résistance au cisaillement de puce). La présente invention concerne une pâte conductrice qui contient : (A) des particules fines de cuivre qui ont un diamètre moyen de particule de 50 nm à 400 nm (inclus), tout en ayant un diamètre de cristallite de 20 nm à 50 nm (inclus) ; (B) des particules de cuivre qui ont un diamètre moyen de particule de 0,8 µm à 5 µm (inclus), tout en ayant un rapport du diamètre de cristallite de celui-ci au diamètre de cristallite des particules fines de cuivre (A) de 1,0 à 2,0 (inclus) ; et (C) un solvant.
(JA)
本発明は、焼成後に、得られる導電体の低抵抗及び高接着強度(ダイシェア強度)の両立を実現する、導電性ペーストを提供することを課題とする。 本発明は、(A)平均粒子径が50nm以上400nm以下であり、かつ、結晶子径が20nm以上50nm以下である銅微粒子と、(B)平均粒子径が0.8μm以上5μm以下であり、かつ、(A)銅微粒子の結晶子径に対する結晶子径の比が1.0以上2.0以下である銅粒子と、(C)溶剤と、を含む導電性ペーストを提供する。
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