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1. WO2020066873 - PROCÉDÉ DE POLISSAGE POUR PLAQUETTE DE SILICIUM À USURE RÉDUITE SUR SUPPORT, ET LIQUIDE DE POLISSAGE UTILISÉ DANS CELUI-CI

Numéro de publication WO/2020/066873
Date de publication 02.04.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/036908
Date du dépôt international 20.09.2019
CIB
H01L 21/304 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
B24B 37/00 2012.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
24MEULAGE; POLISSAGE
BMACHINES, DISPOSITIFS OU PROCÉDÉS POUR MEULER OU POUR POLIR; DRESSAGE OU REMISE EN ÉTAT DES SURFACES ABRASIVES; ALIMENTATION DES MACHINES EN MATÉRIAUX DE MEULAGE, DE POLISSAGE OU DE RODAGE
37Machines ou dispositifs de rodage; Accessoires
C09K 3/14 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
09COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
KSUBSTANCES POUR DES APPLICATIONS NON PRÉVUES AILLEURS; APPLICATIONS DE SUBSTANCES NON PRÉVUES AILLEURS
3Substances non couvertes ailleurs
14Substances antidérapantes; Abrasifs
CPC
B24B 37/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
37Lapping machines or devices; Accessories
C09K 3/14
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
3Materials not provided for elsewhere
14Anti-slip materials; Abrasives
H01L 21/304
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
Déposants
  • 日産化学株式会社 NISSAN CHEMICAL CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 山口 隼人 YAMAGUCHI Hayato
  • 棚次 悠介 TANATSUGU Yusuke
  • 石水 英一郎 ISHIMIZU Eiichiro
Mandataires
  • 特許業務法人浅村特許事務所 ASAMURA PATENT OFFICE, P.C.
Données relatives à la priorité
2018-17950825.09.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) POLISHING METHOD FOR SILICON WAFER WITH REDUCED WEAR ON CARRIER, AND POLISHING LIQUID USED THEREIN
(FR) PROCÉDÉ DE POLISSAGE POUR PLAQUETTE DE SILICIUM À USURE RÉDUITE SUR SUPPORT, ET LIQUIDE DE POLISSAGE UTILISÉ DANS CELUI-CI
(JA) キャリアの摩耗が低減されたシリコンウエハーの研磨方法及びそれに用いる研磨液
Abrégé
(EN)
Provided is a method that is for polishing a silicon wafer by a polishing device using a carrier holding the silicon wafer, and that can reduce wear on the carrier. In this polishing method, a polishing liquid used in the polishing device contains 0.1-5 mass%, in terms of the concentration of silica, silica particles comprising: silica particles (A) having an average primary particle size of 4-30 nm as measured by BET, and having an (X2/X1) ratio of 1.2-1.8, where X2 (nm) represents an average particle size along the major axis thereof as calculated from a perspective projection image obtained using an electron beam, and X1 (nm) represents the average primary particle size as measured by BET; and silica particles (B) having an average primary particle size of more than 30 nm but not more than 50 nm as measured by BET, and having a (X2/X1) ratio of 1.2-1.8, where X2 (nm) represents an average particle size along the major axis thereof as calculated from a perspective projection image obtained using an electron beam, and X1 (nm) represents the average primary particle size as measured by BET, wherein the mass ratio of the silica particles (A) to the silica particles (B) is 100:0 to 85:15.
(FR)
La présente invention concerne un procédé qui permet de polir une plaquette de silicium avec un dispositif de polissage utilisant un support maintenant la plaquette de silicium, et qui permet de réduire l'usure sur le support. Dans ce procédé de polissage, un liquide de polissage utilisé dans le dispositif de polissage contient de 0,1 à 5 % en masse, en termes de concentration de silice, des particules de silice comprenant : des particules de silice (A) ayant une taille moyenne de particule primaire de 4 à 30 nm telle que mesurée par BET, et ayant un rapport (X2/X1) de 1,2 à 1,8, X2 (nm) représentant une taille moyenne de particule le long de son axe principal telle que calculée à partir d'une image de projection en perspective obtenue à l'aide d'un faisceau d'électrons, et X1 (nm) représentant la taille moyenne de particule primaire telle que mesurée par BET ; et des particules de silice (B) ayant une taille moyenne de particule primaire supérieure à 30 nm mais inférieure ou égale à 50 nm telle que mesurée par BET, et ayant un rapport (X2/X1) de 1,2 à 1,8, X2 (nm) représentant une taille moyenne de particule le long de son axe principal telle que calculée à partir d'une image de projection en perspective obtenue à l'aide d'un faisceau d'électrons, et X1 (nm) représentant la taille moyenne de particule primaire telle que mesurée par BET, le rapport de masse des particules de silice (A) sur les particules de silice (B) étant de 100:0 à 85:15.
(JA)
シリコンウエハーを保持したキャリアを用いた研磨装置によって当該シリコンウエハーの研磨を行う方法であって、キャリアの摩耗を低減が可能な研磨方法を提供する。 前記研磨装置で用いる研磨液が、BET法で測定される平均一次粒子径が4nm~30nmの粒子径であり、電子線による透過投影像により求めた長軸の平均粒子径を(X2)nmとし、BET法で測定される平均一次粒子径を(X1)nmとしたときの(X2/X1)比が1.2~1.8であるシリカ粒子(A)と、BET法で測定される平均一次粒子径が30nmを超え50nm以下の粒子径であり、電子線による透過投影像により求めた長軸の平均粒子径を(X2)nmとし、BET法で測定される平均一次粒子径を(X1)nmとしたときの(X2/X1)比が1.2~1.8であるシリカ粒子(B)とからなるシリカ粒子を0.1質量%~5質量%のシリカ濃度で含み、前記シリカ粒子(A):前記シリカ粒子(B)の質量比が100:0~85:15である、研磨方法である。
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