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1. WO2020066571 - DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SUPPORT DE STOCKAGE

Numéro de publication WO/2020/066571
Date de publication 02.04.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/035362
Date du dépôt international 09.09.2019
CIB
H01L 21/677 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
677pour le transport, p.ex. entre différents postes de travail
B25J 13/00 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
25OUTILS À MAIN; OUTILS PORTATIFS À MOTEUR; MANCHES POUR USTENSILES À MAIN; OUTILLAGE D'ATELIER; MANIPULATEURS
JMANIPULATEURS; ENCEINTES À DISPOSITIFS DE MANIPULATION INTÉGRÉS
13Commandes pour manipulateurs
H01L 21/26 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
26Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires
CPC
B25J 13/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
25HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
JMANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
13Controls for manipulators
H01L 21/26
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
26Bombardment with radiation
H01L 21/677
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
677for conveying, e.g. between different workstations
Déposants
  • 株式会社KOKUSAI ELECTRIC KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 岡▲ざき▼ 太洋 OKAZAKI, Taiyo
  • 高橋 哲 TAKAHASHI, Akira
Mandataires
  • 特許業務法人太陽国際特許事務所 TAIYO, NAKAJIMA & KATO
Données relatives à la priorité
2018-18141627.09.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND STORAGE MEDIUM
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SUPPORT DE STOCKAGE
(JA) 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体
Abrégé
(EN)
A control unit of this substrate processing device controls a first substrate conveying arm so as to execute a first conveyance process for conveying a substrate in a load lock chamber to a substrate processing chamber and execute a third conveyance process for conveying, into the load lock chamber, a substrate mounted on a substrate cooling unit provided in a conveyance chamber, and controls a second substrate conveying arm so as to execute a second conveyance process for conveying a substrate in the substrate processing chamber to the substrate cooling unit and mounting the substrate on the substrate cooling unit. The first and second substrate conveying arms are controlled such that the maximum value of acceleration applied to a substrate in the first and third substrate conveyance processes is greater than the maximum value of acceleration applied to a substrate in the second conveyance process.
(FR)
L'invention concerne une unité de commande de ce dispositif de traitement de substrat qui commande un premier bras de transport de substrat de façon à exécuter un premier processus de transport pour transporter un substrat dans une chambre de verrouillage de charge vers une chambre de traitement de substrat et exécuter un troisième processus de transport pour transporter, dans la chambre de verrouillage de charge, un substrat monté sur une unité de refroidissement de substrat disposée dans une chambre de transport, et commande un second bras de transport de substrat de façon à exécuter un second processus de transport pour transporter un substrat dans la chambre de traitement de substrat vers l'unité de refroidissement de substrat et monter le substrat sur l'unité de refroidissement de substrat. Les premier et second bras de transport de substrat sont commandés de telle sorte que la valeur maximale d'accélération appliquée à un substrat dans les premier et troisième processus de transport de substrat est supérieure à la valeur maximale d'accélération appliquée à un substrat dans le second processus de transport.
(JA)
基板処理装置の制御部は、第1の基板搬送アームを制御して、ロードロック室内の基板を基板処理室内へ搬送する第1の搬送処理と、搬送室内に設けられた基板冷却ユニットに載置された基板をロードロック室内へ搬送する第3の搬送処理と、を実行させ、第2の基板搬送アームを制御して、基板処理室内の基板を基板冷却ユニットへ搬送し、基板冷却ユニットに載置する第2の搬送処理を実行させ、第1の搬送処理と第3の搬送処理では、基板にかかる加速度の最大値が、第2の搬送処理において基板にかかる加速度の最大値よりも大きくなるように第1の基板搬送アームおよび第2の基板搬送アームを制御する。
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