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1. WO2020066144 - MATÉRIAU DE SUBSTRAT À FAIBLE CONSTANTE DIÉLECTRIQUE

Numéro de publication WO/2020/066144
Date de publication 02.04.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/023074
Date du dépôt international 11.06.2019
CIB
B32B 15/08 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
32PRODUITS STRATIFIÉS
BPRODUITS STRATIFIÉS, c. à d. FAITS DE PLUSIEURS COUCHES DE FORME PLANE OU NON PLANE, p.ex. CELLULAIRE OU EN NID D'ABEILLES
15Produits stratifiés composés essentiellement de métal
04comprenant un métal comme seul composant ou comme composant principal d'une couche adjacente à une autre couche d'une substance spécifique
08de résine synthétique
B32B 5/18 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
32PRODUITS STRATIFIÉS
BPRODUITS STRATIFIÉS, c. à d. FAITS DE PLUSIEURS COUCHES DE FORME PLANE OU NON PLANE, p.ex. CELLULAIRE OU EN NID D'ABEILLES
5Produits stratifiés caractérisés par l'hétérogénéité ou la structure physique d'une des couches
18caractérisés par le fait qu'une des couches contient un matériau sous forme de mousse ou essentiellement poreux
H05K 1/03 2006.01
HÉLECTRICITÉ
05TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
KCIRCUITS IMPRIMÉS; ENVELOPPES OU DÉTAILS DE RÉALISATION D'APPAREILS ÉLECTRIQUES; FABRICATION D'ENSEMBLES DE COMPOSANTS ÉLECTRIQUES
1Circuits imprimés
02Détails
03Emploi de matériaux pour réaliser le substrat
CPC
B32B 15/08
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
32LAYERED PRODUCTS
BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
15Layered products comprising ; a layer of; metal
04comprising metal as the main or only constituent of a layer, ; which is next to another layer of the same or of a different material
08of synthetic resin
B32B 5/18
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
32LAYERED PRODUCTS
BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
5Layered products characterised by the non- homogeneity or physical structure ; , i.e. comprising a fibrous, filamentary, particulate or foam layer; Layered products characterised by having a layer differing constitutionally or physically in different parts
18characterised by features of a layer ; of; foamed material
H05K 1/03
HELECTRICITY
05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
1Printed circuits
02Details
03Use of materials for the substrate
Déposants
  • 日東電工株式会社 NITTO DENKO CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 中村 将義 NAKAMURA, Masayoshi
  • 松富 亮人 MATSUTOMI, Akihito
  • 三島 慧 MISHIMA, Kei
Mandataires
  • 岡本 寛之 OKAMOTO, Hiroyuki
  • 宇田 新一 UDA, Shinichi
Données relatives à la priorité
2018-18458628.09.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) LOW-DIELECTRIC SUBSTRATE MATERIAL
(FR) MATÉRIAU DE SUBSTRAT À FAIBLE CONSTANTE DIÉLECTRIQUE
(JA) 低誘電基板材
Abrégé
(EN)
This low-dielectric substrate material is provided with a porous resin layer and a metal layer in sequence in the thickness direction. If the pressure to impart 10% residual strain S, described hereinafter, is the 10% strain pressure P, this 10% strain pressure P is at least 4.5 MPa at 180°C. Residual strain S: the initial thickness T0 of the porous resin layer is measured, then the pressure P is applied to the low-dielectric substrate material for 30 minutes in the thickness direction, then the pressure P is released, and the post-release thickness T1 of the porous resin layer is measured. The initial thickness T0 and the post-release thickness T1 are substituted into the following formula (1) to obtain the residual strain S. Residual strain S (%) = ([T0 – T1] / T0) × 100
(FR)
La présente invention concerne un matériau de substrat à faible constante diélectrique pourvu d'une couche de résine poreuse et d'une couche métallique en séquence dans la direction de l'épaisseur. Si la pression pour communiquer 10 % de contrainte résiduelle S, décrite ci-après, est la pression de contrainte de 10 % P, cette pression de contrainte de 10 % P est d'au moins 4,5 MPa à 180 °C. Contrainte résiduelle S : l'épaisseur initiale T0 de la couche de résine poreuse est mesurée, puis la pression P est appliquée sur le matériau de substrat à faible constante diélectrique pendant 30 minutes dans la direction de l'épaisseur, puis la pression P est libérée, et l'épaisseur post-libération T1 de la couche de résine poreuse est mesurée. L'épaisseur initiale T0 et l'épaisseur post-libération T1 sont substituées dans la formule suivante (1) pour obtenir la contrainte résiduelle S. Contrainte résiduelle S (%) = ([T0-T1]/T0)×100
(JA)
低誘電基板材は、多孔質樹脂層および金属層を厚み方向に順に備える低誘電基板材である。10%の下記残存歪みSを与える圧力を10%歪み圧力Pとしたときに、その10%歪み圧力Pが180℃で4.5MPa以上である。 残存歪みS:多孔質樹脂層の初期厚みT0を測定し、続いて、圧力Pを低誘電基板材に対して30分間、厚み方向にかけ、その後、圧力Pを解放し、多孔質樹脂層の解放後厚みT1を測定する。その後、初期厚みT0および解放後厚みT1を下記式(1)に代入して、前記残存歪みSが得られる。 残存歪みS(%)=([T0-T1]/T0)×100
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