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1. WO2020066126 - DISPOSITIF DE RÉSONANCE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF DE RÉSONANCE

Numéro de publication WO/2020/066126
Date de publication 02.04.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/021055
Date du dépôt international 28.05.2019
CIB
H03H 9/02 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
HRÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
9Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques
02Détails
H03H 3/007 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
HRÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
3Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de réseaux d'impédance, de circuits résonnants, de résonateurs
007pour la fabrication de résonateurs ou de réseaux électromécaniques
H03H 9/24 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
HRÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
9Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques
24Détails de réalisation de résonateurs en matériau qui n'est ni piézo-électrique, ni électrostrictif, ni magnétostrictif
CPC
H03H 3/007
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
3Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
007for the manufacture of electromechanical resonators or networks
H03H 9/02
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
02Details
H03H 9/24
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
24Constructional features of resonators of material which is not piezo-electric, electrostrictive, or magnetostrictive
Déposants
  • 株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 出原 健太郎 DEHARA, Kentarou
  • 福光 政和 FUKUMITSU, Masakazu
Mandataires
  • 稲葉 良幸 INABA, Yoshiyuki
  • 大貫 敏史 ONUKI, Toshifumi
Données relatives à la priorité
2018-18365628.09.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) RESONANCE DEVICE AND RESONANCE DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE RÉSONANCE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF DE RÉSONANCE
(JA) 共振装置及び共振装置製造方法
Abrégé
(EN)
Provided are a resonance device and a resonance device manufacturing method which enable improvement of bond strength and airtightness of joining parts. A resonance device 1 is provided with: a MEMS substrate 50 including a resonator 10; an upper lid 30; and a joining part 60 for joining the upper lid 30 and the MEMS substrate 50 so as to seal a vibration space of the resonator 10. The joining part 60 includes a eutectic layer 65 containing, as the main component, a eutectic alloy of: a first metal containing aluminum as the main component; a second metal which is germanium or silicon; and a third metal which is titanium or nickel.
(FR)
L'invention concerne un dispositif de résonance et un procédé de fabrication de dispositif de résonance qui permettent d'améliorer la résistance de liaison et l'étanchéité à l'air des parties de jonction. Un dispositif de résonance 1 est pourvu : d'un substrat MEMS 50 qui comprend un résonateur 10 ; d'un couvercle supérieur 30 ; et d'une section de liaison 60 qui lie le substrat MEMS 50 et le couvercle supérieur 30 l'un à l'autre de telle sorte que l'espace de vibration du résonateur 10 est scellé. La partie de jonction 60 comprend une couche eutectique 65 contenant, en tant que composant principal, un alliage eutectique : d'un premier métal contenant de l'aluminium en tant que composant principal ; d'un second métal qui est du germanium ou du silicium ; et d'un troisième métal qui est du titane ou du nickel.
(JA)
接合部の気密性及び接合強度を向上させることのできる共振装置及び共振装置製造方法を提供する。 共振装置1は、共振子10を含むMEMS基板50と、上蓋30と、共振子10の振動空間を封止するように、MEMS基板50と上蓋30とを接合する接合部60と、を備え、接合部60は、アルミニウムを主成分とする第1金属と、ゲルマニウム又はシリコンの第2金属と、チタン又はニッケルの第3金属との共晶合金を主成分とする共晶層65を含む。
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