Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Goto Application

1. WO2020065707 - DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR

Numéro de publication WO/2020/065707
Date de publication 02.04.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2018/035342
Date du dépôt international 25.09.2018
CIB
H01L 21/31 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
C23C 16/455 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
44caractérisé par le procédé de revêtement
455caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
H01L 21/318 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
314Couches inorganiques
318composées de nitrures
Déposants
  • 株式会社KOKUSAI ELECTRIC KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 西堂 周平 SAIDO Shuhei
  • 佐々木 隆史 SASAKI Takafumi
  • 吉田 秀成 YOSHIDA Hidenari
Mandataires
  • ポレール特許業務法人 POLAIRE I.P.C.
Données relatives à la priorité
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
Abrégé
(EN)
This substrate processing device mitigates nonuniformity (loading effect) between the surfaces of a plurality of wafers when arranging and processing the plurality of wafers, the substrate processing device comprising: a substrate holding tool for arranging and holding a plurality of substrates at predetermined intervals; a reaction tube that accommodates the substrate holding tool, and that has a ceiling closing the upper end thereof and has an opening, on the lower side thereof, through which the substrate holding tool can enter and exit; a furnace body that surrounds the upper and lateral sides of the reaction tube; a lid that directly or indirectly holds the substrate holding tool and blocks the opening; and a gas supply mechanism that provides a gas flow parallel to the respective front-side surfaces of the plurality of substrates held by the substrate holding tool inside the reaction tube. The substrate holding tool is configured to hold: a product substrate or monitor substrate on which an integrated circuit pattern is formed; and a dummy substrate having a thermal sprayed Si layer on the front-side surface at positions on both sides sandwiching the product substrate or monitor substrate.
(FR)
L'invention concerne un dispositif de traitement de substrat qui atténue la non-uniformité (effet de chargement) entre les surfaces d'une pluralité de tranches lors de l'agencement et du traitement de la pluralité de tranches, le dispositif de traitement de substrat comprenant : un outil de maintien de substrat pour agencer et maintenir une pluralité de substrats à des intervalles prédéterminés ; un tube de réaction qui reçoit l'outil de maintien de substrat, et qui a un plafond fermant l'extrémité supérieure de celui-ci et a une ouverture, sur le côté inférieur de celui-ci, à travers lequel l'outil de maintien de substrat peut entrer et sortir ; un corps de four qui entoure les côtés supérieur et latéral du tube de réaction ; un couvercle qui maintient directement ou indirectement l'outil de maintien de substrat et bloque l'ouverture ; et un mécanisme d'alimentation en gaz qui fournit un écoulement de gaz parallèle aux surfaces côté avant respectives de la pluralité de substrats maintenus par l'outil de maintien de substrat à l'intérieur du tube de réaction. L'outil de maintien de substrat est configuré pour contenir : un substrat de produit ou un substrat de surveillance sur lequel est formé un motif de circuit intégré ; et un substrat factice ayant une couche de Si pulvérisée thermiquement sur la surface côté avant au niveau de positions sur les deux côtés prenant en sandwich le substrat de produit ou le substrat de surveillance.
(JA)
ウェハを複数枚並べて処理する際の複数のウェハの面間不均一性(ローディングエフェクト)を緩和する基板処理装置を、複数の基板を所定の間隔で配列されて保持する基板保持具と、上端を閉塞する天井と下方に基板保持具を出し入れ可能な開口とを備えて基板保持具を収容する反応管と、この反応管の上方及び側方を取り囲む炉体と、基板保持具を直接または間接に保持するとともに開口を塞ぐ蓋と、反応管内で基板保持具に保持された複数の基板のそれぞれの表側面に対して表側面に平行なガスの流れを提供するガス供給機構とを備えて構成し、基板保持具は、集積回路パターンが形成された製品基板もしくはモニター基板と、この製品基板もしくはモニター基板を挟む両側の位置に表側面にSi溶射層が形成されたダミー基板とを保持するように構成した。
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international