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1. WO2020064669 - PROCÉDÉ DE SÉPARATION D’UN COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR MUNI D’UNE JONCTION PN ET COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR MUNI D’UNE JONCTION PN

Numéro de publication WO/2020/064669
Date de publication 02.04.2020
N° de la demande internationale PCT/EP2019/075597
Date du dépôt international 24.09.2019
CIB
H01L 31/18 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
18Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H01L 21/78 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
H01L 31/05 2014.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque
042Modules PV ou matrices de cellules PV individuelles
05Moyens d’interconnexion électrique entre les cellules PV à l’intérieur du module PV, p.ex. connexion en série de cellules PV
CPC
H01L 21/78
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
H01L 31/05
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
04adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
042PV modules or arrays of single PV cells
05Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
H01L 31/18
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
18Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
Déposants
  • FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E. V. [DE]/[DE]
Inventeurs
  • LOHMÜLLER, Elmar
  • PREU, Ralf
  • BALIOZIAN, Puzant
  • FELLMETH, Tobias
  • WÖHRLE, Nico
  • SAINT-CAST, Pierre
  • RICHTER, Armin
Mandataires
  • LEMCKE, BROMMER & PARTNER PATENTANWÄLTE PARTNERSCHAFT MBB
Données relatives à la priorité
10 2018 123 484.824.09.2018DE
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) VERFAHREN ZUM VEREINZELN EINES HALBLEITERBAUELEMENTES MIT EINEM PN-ÜBERGANG UND HALBLEITERBAUELEMENT MIT EINEM PN-ÜBERGANG
(EN) METHOD FOR SINGULATING A SEMICONDUCTOR COMPONENT HAVING A PN JUNCTION AND SEMICONDUCTOR COMPONENT HAVING A PN JUNCTION
(FR) PROCÉDÉ DE SÉPARATION D’UN COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR MUNI D’UNE JONCTION PN ET COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR MUNI D’UNE JONCTION PN
Abrégé
(DE)
Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement (1a, 1b, 1c, 1d, 1e) mit zumindest einem Emitter (2a, 2b, 2c), zumindest einer Basis (3a, 3b, 3c, 3d, 3e), wobei zwischen Emitter eine Basis (3a, 3b, 3c, 3d, 3e) ein pn-Übergang (4a, 4b, 4c) ausgebildet ist, mit zumindest einer nichtmetallischen Querleitungs- schicht zur Querleitung von Majoritätsladungsträgern des Emitters, wobei der Emitter (2a, 2b, 2c) die Querleitungsschicht umfasst und/oder die Querleitungs- schicht parallel zu dem Emitter (2a, 2b, 2c) und mit diesem elektrisch leitend verbunden ausgebildet ist,und mit einer Bruchseite, an welcher das Halbleiter- bauelement (1a, 1b, 1c, 1d, 1e) vereinzelt wurde. Wesentlich ist, dass an der Bruchseite ein Querleitungsvermeidungsbereich(5a, 5b, 5c, 5d, 5e) derart aus- gebildet und angeordnet ist, dass die Querleitungsfähigkeit um zumindest einen Faktor 10 verringert ist,wobei der Querleitungsvermeidungsbereich (5a, 5b, 5c, d, 5e) senkrecht zur Bruchseite eine Tiefe (TQ) im Bereich 5µm bis 500µm, insbesondere 10µm bis 200µm aufweist.Die Erfindung betrifft weiterhin ein Verfahren zum Vereinzeln eines Halbleiterbauelementes.
(EN)
The invention relates to a semiconductor component (1a, 1b, 1c, 1d, 1e) having at least one emitter (2a, 2b, 2c), at least one base (3a, 3b, 3c, 3d, 3e), wherein a pn junction (4a, 4b, 4c) is formed between emitter and base (3a, 3b, 3c, 3d, 3e), having at least one nonmetallic transverse conduction layer for the transverse conduction of majority charge carriers of the emitter, wherein the emitter (2a, 2b, 2c) comprises the transverse conduction layer and/or the transverse conduction layer is formed parallel to the emitter (2a, 2b, 2c) and in a manner electrically conductively connected thereto, and having a break side, at which the semiconductor component (1a, 1b, 1c, 1d, 1e) was singulated. What is essential is that a transverse conduction avoidance region (5a, 5b, 5c, 5d, 5e) is formed and arranged at the break side in such a way that the transverse conductivity is reduced by at least a factor of 10, wherein the transverse conduction avoidance region (5a, 5b, 5c, 5d, 5e) has a depth (TQ) in the range of 5 µm to 500 µm, in particular 10 µm to 200 µm, perpendicular to the break side. The invention furthermore relates to a method for singulating a semiconductor component.
(FR)
L’invention concerne un composant semi-conducteur (1a, 1b, 1c, 1d, 1e) comportant au moins un émetteur (2a, 2b, 2c), au moins une base (3a, 3b, 3c, 3d, 3e), une jonction pn (4a, 4b, 4c) étant réalisée entre l’émetteur et la base (3a, 3b, 3c, 3d, 3e), au moins une couche de conduction transversale non métallique pour la conduction transversale de porteurs majoritaires de l’émetteur, l’émetteur (2a, 2b, 2c) comprenant la couche de conduction transversale et/ou la couche de conduction transversale étant parallèle à l’émetteur (2a, 2b, 2c) et reliée à ce dernier de manière électroconductrice, et une face de rupture au niveau de laquelle le composant semi-conducteur (1a, 1b, 1c, 1d, 1e) a été séparé. L’essentiel réside en ce qu’au niveau de la face de rupture, une zone d’évitement (5a, 5b, 5c, 5d, 5e) de la conduction transversale est réalisée et agencée de telle manière que la conductivité transversale est réduite d’au moins un facteur de 10, la zone d’évitement (5a, 5b, 5c, 5d, 5e) de la conduction transversale présentant perpendiculairement à la face de rupture une profondeur (TQ) de l’ordre de 5 µm à 500 µm, en particulier de 10 µm à 200 µm. L’invention concerne par ailleurs un procédé de séparation d’un composant semi-conducteur.
Également publié en tant que
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