Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Goto Application

1. WO2020063359 - PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE MÉMOIRE PROGRAMMABLE

Numéro de publication WO/2020/063359
Date de publication 02.04.2020
N° de la demande internationale PCT/CN2019/105517
Date du dépôt international 12.09.2019
CIB
H01L 21/8239 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232Technologie à effet de champ
8234Technologie MIS
8239Structures de mémoires
CPC
H01L 27/1052
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
10including a plurality of individual components in a repetitive configuration
105including field-effect components
1052Memory structures and multistep manufacturing processes therefor not provided for in groups H01L27/1055 - H01L27/112
Déposants
  • 成都皮兆永存科技有限公司 CHENGDU PBM TECHNOLOGY LTD. [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 彭泽忠 PENG, Jack Zezhong
Mandataires
  • 成都惠迪专利事务所(普通合伙) CHENGDU HUIDI PATENT LAW OFFICE (GENERAL PARTNERSHIP)
Données relatives à la priorité
201811117241.925.09.2018CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) PRODUCING METHOD FOR PROGRAMMABLE MEMORY
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE MÉMOIRE PROGRAMMABLE
(ZH) 可编程存储器的制备方法
Abrégé
(EN)
A producing method for a programmable memory, relating to technology for producing memories. The present invention comprises the following steps: (1) a step of forming a base structure body; (2) a step of forming an interdigital structure on the base structure body; and (3) a step of forming a columnar storage unit: providing required intermediate layer dielectric materials on the inner wall of a cylindrical hole layer by layer according to a preset structure of the memory, and finally filling the cylindrical hole with a core dielectric material to form a core dielectric material layer. The obtained advantageous effects are that the produced semiconductor memory is high in storage density, low in process costs and easy to achieve.
(FR)
L'invention concerne un procédé de production d'une mémoire programmable, se rapportant à la technologie de la production de mémoires. La présente invention comprend les étapes suivantes : (1) une étape de formation d'un corps de structure de base ; (2) une étape de formation d'une structure interdigitée sur le corps de structure de base ; et (3) une étape de formation d'une unité de mémoire en colonne : la fourniture de matériaux diélectriques de couche intermédiaire requis sur la paroi interne d'une couche de trou cylindrique par couche selon une structure prédéfinie de la mémoire, et enfin le remplissage du trou cylindrique avec un matériau diélectrique central pour former une couche de matériau diélectrique central. Les effets avantageux obtenus sont que la mémoire à semi-conducteur produite présente une densité de mémorisation élevée, de faibles coûts de traitement et est facile à obtenir.
(ZH)
可编程存储器的制备方法,涉及存储器的制备技术。本发明包括下述步骤:1)形成基础结构体的步骤;2)在基础结构体上形成指叉结构的步骤;3)形成柱形存储单元的步骤:按照预设的存储器的结构,在柱形孔内壁逐层设置所需的各中间层介质材料,最后在柱形孔内填充核心介质材料,形成核心介质材料层。获得的有益效果是,制备得到的半导体存储器存储密度高,并且工艺成本低,易于实现。
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international