Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Goto Application

1. WO2020063358 - PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE MÉMOIRE PROGRAMMABLE TRIDIMENSIONNELLE

Numéro de publication WO/2020/063358
Date de publication 02.04.2020
N° de la demande internationale PCT/CN2019/105516
Date du dépôt international 12.09.2019
CIB
H01L 27/115 2017.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
10comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105comprenant des composants à effet de champ
112Structures de mémoires mortes
115Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs
CPC
H01L 27/115
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
10including a plurality of individual components in a repetitive configuration
105including field-effect components
112Read-only memory structures ; [ROM] and multistep manufacturing processes therefor
115Electrically programmable read-only memories; Multistep manufacturing processes therefor
Déposants
  • 成都皮兆永存科技有限公司 CHENGDU PBM TECHNOLOGY LTD. [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 彭泽忠 PENG, Jack Zezhong
Mandataires
  • 成都惠迪专利事务所(普通合伙) CHENGDU HUIDI PATENT LAW OFFICE (GENERAL PARTNERSHIP)
Données relatives à la priorité
201811117240.425.09.2018CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) FABRICATION METHOD FOR THREE-DIMENSIONAL PROGRAMMABLE MEMORY
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE MÉMOIRE PROGRAMMABLE TRIDIMENSIONNELLE
(ZH) 三维可编程存储器的制备方法
Abrégé
(EN)
A fabrication method for a three-dimensional programmable memory, related to memory fabrication techniques. The method comprises the following steps: 1) forming a base structure; 2) grooving the base structure; 3) providing storage medium layers required by a preset memory structure on a layer-by-layer basis on the inner wall of strip-shaped grooves; 4) filling a core medium into cavities of the strip-shaped grooves to form a core medium layer; 5) providing a separating groove running from the top layer to the bottom layer at end part areas of the strip-shaped grooves, the separating groove connecting the strip-shaped grooves head-to-tail into one curved line in terms of shape, the separating groove penetrating the strip-shaped grooves so that electrically-conductive medium on either side in the direction of the long side of the strip-shaped grooves forms an insulating separation; and providing cutting groove holes running from the top layer to the bottom layer on the strip-shaped grooves, the cutting groove holes penetrating the base structure adjacent to the long side of the strip-shaped grooves at where each is located, and the cutting groove holes dividing the strip-shaped grooves into at least three independent memories; and 6) filling an insulating medium into the separating groove and into the cutting groove holes. The storage density of a semiconductor memory fabricated per the method is high.
(FR)
L'invention concerne un procédé de fabrication d'une mémoire programmable tridimensionnelle, associé à des techniques de fabrication de mémoire. Le procédé comprend les étapes suivantes : 1) formation d'une structure de base ; 2) rainurage de la structure de base ; 3) fourniture de couches de support de stockage requises par une structure de mémoire prédéfinie sur une base couche par couche sur la paroi interne de rainures en forme de bande ; 4) remplissage d'un milieu de noyau dans des cavités des rainures en forme de bande pour former une couche de milieu de noyau ; 5) fourniture d'une rainure de séparation s'étendant de la couche supérieure à la couche inférieure au niveau de zones de partie d'extrémité des rainures en forme de bande, la rainure de séparation reliant les rainures en forme de bande de tête à queue dans une ligne incurvée en termes de forme, la rainure de séparation pénétrant dans les rainures en forme de bande de sorte que le milieu électroconducteur de chaque côté dans la direction du côté long des rainures en forme de bande forme une séparation isolante ; et fourniture des trous de rainure de découpe s'étendant de la couche supérieure à la couche inférieure sur les rainures en forme de bande, les trous de rainure de découpe pénétrant dans la structure de base de manière adjacente au côté long des rainures en forme de bande au niveau desquels chaque rainure est située, et les trous de rainure de découpe divisant les rainures en forme de bande en au moins trois mémoires indépendantes ; et 6) remplissage d'un milieu isolant dans la rainure de séparation et dans les trous de rainure de découpe. La densité de stockage d'une mémoire semi-conductrice fabriquée par le procédé est élevée.
(ZH)
三维可编程存储器的制备方法,涉及存储器的制备技术。方法包括下述步骤:1)形成基础结构体;2)对基层结构体开槽;3)在条形槽的内壁逐层设置预设的存储器结构所需的各存储介质层;4)在条形槽的空腔中填充核心介质,形成核心介质层;5)在条形槽的端部区域设置自顶层到底层贯穿的隔离槽,从形状上由隔离槽将各条形槽首尾连接为一条曲线,隔离槽侵入条形槽以使条形槽长边方向两侧的导电介质形成绝缘隔离;并在条形槽上开设自顶层到底层贯穿的切割槽孔,切割槽孔侵入其所在条形槽长边邻近的基础结构体,切割槽孔将条形槽分割为至少3个独立的存储体;6)在隔离槽和切割槽孔中填充绝缘介质。该方法所制备的半导体存储器存储密度高。
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international