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1. WO2020062867 - TRANSISTOR EN COMPOSÉS DE CHALCOGÉNURES DE MÉTAUX DE TRANSITION ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION

Numéro de publication WO/2020/062867
Date de publication 02.04.2020
N° de la demande internationale PCT/CN2019/085522
Date du dépôt international 05.05.2019
CIB
H01L 29/786 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
78l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786Transistors à couche mince
CPC
H01L 29/24
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
12characterised by the materials of which they are formed
24including, apart from doping materials or other impurities, only semiconductor materials not provided for in groups H01L29/16, H01L29/18, H01L29/20, H01L29/22
H01L 29/66969
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
66007Multistep manufacturing processes
66969of devices having semiconductor bodies not comprising group 14 or group 13/15 materials
H01L 29/78618
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
786Thin film transistors, ; i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
78606with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
78618characterised by the drain or the source properties, e.g. the doping structure, the composition, the sectional shape or the contact structure
H01L 29/78696
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
786Thin film transistors, ; i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
78696characterised by the structure of the channel, e.g. multichannel, transverse or longitudinal shape, length or width, doping structure, or the overlap or alignment between the channel and the gate, the source or the drain, or the contacting structure of the channel
Déposants
  • 上海集成电路研发中心有限公司 SHANGHAI IC R & D CENTER CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 钟旻 ZHONG, Min
  • 陈寿面 CHEN, Shoumian
Mandataires
  • 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) SHANGHAI TIANCHEN INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY
Données relatives à la priorité
201811124074.026.09.2018CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) TRANSITION METAL CHALCOGENIDE COMPOUND TRANSISTOR AND PREPARATION METHOD THEREFOR
(FR) TRANSISTOR EN COMPOSÉS DE CHALCOGÉNURES DE MÉTAUX DE TRANSITION ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
(ZH) 一种过渡金属硫族化合物晶体管及其制备方法
Abrégé
(EN)
Disclosed is a transition metal chalcogenide compound transistor comprising the following from bottom to top: a gate; a gate dielectric layer; a channel layer; and a source/drain region located on both sides of the gate dielectric layer. The invention is characterized in that in a plane parallel to the channel layer, the length of the channel layer in each direction is greater than the length of the gate dielectric layer, and the length of the gate dielectric layer in each direction is greater than or equal to the length of the gate. The source/drain region is a first transition metal chalcogenide compound having properties of metal, and the channel layer is a second transition metal chalcogenide compound having semiconductor properties. The invention provides a transition metal chalcogenide compound transistor and a preparation method thereof that can effectively resolve the issue of excessive contact resistance between the channel and the source/drain region of the transition metal chalcogenide compound transistor, and allow the transition metal chalcogenide compound transistor to be compatible with existing CMOS processes.
(FR)
L’invention concerne un transistor en composés de chalcogénures de métaux de transition comprenant de bas en haut : une grille ; une couche diélectrique de grille ; une couche de canal ; et une zone de source/drain située des deux côtés de la couche diélectrique de grille. L’invention est caractérisée en ce que, dans un plan parallèle à la couche de canal, la longueur de la couche de canal dans chaque direction est supérieure à la longueur de la couche diélectrique de grille, et en ce que la longueur de la couche diélectrique de grille dans chaque direction est supérieure ou égale à la longueur de la grille. La zone de source/drain est un premier composé de chalcogénure de métal de transition ayant des propriétés du métal, et la couche de canal est un deuxième composé de chalcogénure de métal de transition ayant des propriétés de semi-conducteurs. L’invention concerne un transistor en composés de chalcogénures de métaux de transition et son procédé de préparation qui peuvent résoudre efficacement le problème de résistance de contact excessive entre le canal et la zone de source/drain du transistor en composés de chalcogénures de métaux de transition, et permettent que le transistor en composés de chalcogénures de métaux de transition soit compatible avec les processus CMOS existants.
(ZH)
本发明公开了一种过渡金属硫族化合物晶体管,自下而上包括:栅极、栅极介电层、沟道层以及位于栅极介电层两侧的源漏区,其特征在于,在平行于沟道层的平面内,所述沟道层在各个方向上的长度大于所述栅极介电层的长度,所述栅极介电层在各个方向上的长度大于等于所述栅极的长度;其中,所述源漏区为具有金属性质的第一过渡金属硫族化合物,所述沟道层为具有半导体性质的第二过渡金属硫族化合物。本发明提供的一种过渡金属硫族化合物晶体管及其制备方法,能够有效解决过渡金属硫族化合物晶体管沟道与源漏区之间存在接触电阻过大的问题,能够使过渡金属硫族化合物晶体管与现有的CMOS工艺兼容。
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