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1. WO2020062750 - SUBSTRAT DE TRANSFERT, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT D'AFFICHAGE DE MICRO-DIODES ÉLECTROLUMINESCENTES ET SUBSTRAT D'AFFICHAGE DE MICRO-DIODES ÉLECTROLUMINESCENTES

Numéro de publication WO/2020/062750
Date de publication 02.04.2020
N° de la demande internationale PCT/CN2019/074840
Date du dépôt international 12.02.2019
CIB
H01L 21/683 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
683pour le maintien ou la préhension
H01L 27/12 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
12le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
CPC
H01L 27/1214
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
12the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
1214comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
H01L 27/1218
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
12the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
1214comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
1218with a particular composition or structure of the substrate
H01L 27/1259
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
12the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
1214comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
1259Multistep manufacturing methods
H01L 27/1266
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
12the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
1214comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
1259Multistep manufacturing methods
1262with a particular formation, treatment or coating of the substrate
1266the substrate on which the devices are formed not being the final device substrate, e.g. using a temporary substrate
Déposants
  • BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN]/[CN]
  • BEIJING BOE OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventeurs
  • FANG, Liyu
  • SUN, Lingyu
  • DU, Jingjun
  • LIANG, Fei
  • HOU, Tingxiu
Mandataires
  • TEE & HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS
Données relatives à la priorité
201811129672.727.09.2018CN
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) TRANSFER SUBSTRATE, METHOD OF FABRICATING MICRO LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY SUBSTRATE, AND MICRO LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT DE TRANSFERT, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT D'AFFICHAGE DE MICRO-DIODES ÉLECTROLUMINESCENTES ET SUBSTRAT D'AFFICHAGE DE MICRO-DIODES ÉLECTROLUMINESCENTES
Abrégé
(EN)
A transfer substrate for transferring an array of a plurality of micro light emitting diodes (micro LEDs) onto a target substrate. The transfer substrate includes a base substrate and an array of a plurality of electroactive actuators. A respective one of the plurality of electroactive actuators includes a ring-shaped frame structure substantially surrounding a central opening, the ring-shaped frame structure made of an electroactive material. The ring-shaped frame structure is configured to undergo a reversible deformation between a first state and a second state upon a change in an electric field applied on the ring-shaped frame structure. A distance between two positions on an inner wall of the ring-shaped frame structure and across the central opening having a first value in the first state and a second value in the second state. The first value is greater than the second value.
(FR)
La présente invention concerne un substrat de transfert pour transférer un réseau d'une pluralité de micro-diodes électroluminescentes (micro-DEL) vers un substrat cible. Le substrat de transfert comprend un substrat de base et un réseau d'une pluralité d'actionneurs électroactifs. Un actionneur respectif de la pluralité d'actionneurs électroactifs comprend une structure de cadre en forme d'anneau entourant sensiblement une ouverture centrale, la structure de cadre en forme d'anneau étant constituée d'un matériau électroactif. La structure de cadre en forme d'anneau est configurée pour subir une déformation réversible entre un premier état et un second état lors d'un changement dans un champ électrique appliqué sur la structure de cadre en forme d'anneau. Une distance entre deux positions sur une paroi interne de la structure de cadre en forme d'anneau et à travers l'ouverture centrale ayant une première valeur dans le premier état et une seconde valeur dans le second état. La première valeur est supérieure à la seconde valeur.
Également publié en tant que
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