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1. WO2020062426 - SUBSTRAT DE RÉSEAU ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION, ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE

Numéro de publication WO/2020/062426
Date de publication 02.04.2020
N° de la demande internationale PCT/CN2018/113389
Date du dépôt international 01.11.2018
CIB
H01L 27/12 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
12le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
H01L 27/15 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
15comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
H01L 21/77 2017.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
CPC
H01L 27/1229
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
12the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
1214comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
1222with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
1229with different crystal properties within a device or between different devices
H01L 27/127
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
12the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
1214comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
1259Multistep manufacturing methods
127with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement
H01L 27/156
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
15including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
153in a repetitive configuration, e.g. LED bars
156two-dimensional arrays
Déposants
  • 重庆惠科金渝光电科技有限公司 CHONGQING HKC OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD. [CN]/[CN]
  • 惠科股份有限公司 HKC CORPORATION LIMITED [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 吴川 WU, Chuan
Mandataires
  • 深圳中一专利商标事务所 SHENZHEN ZHONGYI PATENT AND TRADEMARK OFFICE
Données relatives à la priorité
201811157289.230.09.2018CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) ARRAY SUBSTRATE AND PREPARATION METHOD THEREFOR, AND DISPLAY DEVICE
(FR) SUBSTRAT DE RÉSEAU ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION, ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(ZH) 阵列基板及其制备方法和显示器件
Abrégé
(EN)
The array substrate comprises: a substrate; a gate electrode; a gate insulating layer; an active layer; source and drain electrodes; a passivation layer; and pixel electrodes; the active layer comprises a first silicon layer, the first silicon layer below a channel being made of polycrystalline silicon and the remaining part of the first silicon layer being made of non-crystalline silicon.
(FR)
Le substrat de réseau comprend : un substrat ; une électrode de grille ; une couche d'isolation de grille ; une couche active ; des électrodes de source et de drain ; une couche de passivation ; et des électrodes de pixel ; la couche active comprend une première couche de silicium, la première couche de silicium sous un canal étant constituée de silicium polycristallin et la partie restante de la première couche de silicium étant constituée de silicium non cristallin.
(ZH)
阵列基板包括:基板;栅极;栅极绝缘层;有源层;源漏极;钝化层;像素电极;有源层包括第一硅层,且位于沟道下方的第一硅层由多晶硅组成,余下部分第一硅层由非晶硅组成。
Également publié en tant que
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