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1. WO2020062417 - PUCE RETOURNÉE, SOURCE DE LUMIÈRE PLANE ET APPAREIL D'AFFICHAGE UTILISANT LA SOURCE DE LUMIÈRE PLANE

Numéro de publication WO/2020/062417
Date de publication 02.04.2020
N° de la demande internationale PCT/CN2018/113282
Date du dépôt international 01.11.2018
CIB
H01L 33/02 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
H01L 33/10 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
10ayant une structure réfléchissante, p.ex. réflecteur de Bragg en semi-conducteur
H01L 33/52 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
52Encapsulations
H01L 33/58 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
58Éléments de mise en forme du champ optique
H01L 33/62 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
62Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
CPC
H01L 33/02
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
H01L 33/10
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
10with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
H01L 33/52
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
52Encapsulations
H01L 33/58
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
58Optical field-shaping elements
H01L 33/62
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
Déposants
  • 武汉华星光电技术有限公司 WUHAN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 杨勇 YANG, Yong
Mandataires
  • 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) ESSEN PATENT & TRADEMARK AGENCY
Données relatives à la priorité
201811127432.327.09.2018CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) FLIP CHIP, PLANAR LIGHT SOURCE AND DISPLAY APPARATUS USING PLANAR LIGHT SOURCE
(FR) PUCE RETOURNÉE, SOURCE DE LUMIÈRE PLANE ET APPAREIL D'AFFICHAGE UTILISANT LA SOURCE DE LUMIÈRE PLANE
(ZH) 倒装芯片、面光源及采用该面光源的显示装置
Abrégé
(EN)
A flip chip (20), a planar light source (10) and a display apparatus (100) using the planar light source (10). The flip chip (20) comprises a metal gate layer (201) provided with metal wires (2011) arranged parallel to each other; a wafer substrate (202) arranged below the metal gate layer (201); an N-doped layer (203) and a negative lead (208), which are both arranged below the wafer substrate (202); a quantum well layer (204) arranged below the N-doped layer (203); a P-doped layer (205) arranged below the quantum well layer (204); an optically active substance layer (206) arranged below the P-doped layer (205); a reflecting layer (207) arranged below the optically active substance layer (206); and a positive lead (209) arranged below the reflecting layer (207). The flip chip (20), the planar light source (10) and the display apparatus (100) using the planar light source (10) effectively improve light emission efficiency of the planar light source (10) in a wide-angle direction and widen the viewing angle range of the planar light source (10).
(FR)
La présente invention concerne une puce retournée (20), une source de lumière plane (10) et un appareil d'affichage (100) utilisant la source de lumière plane (10). La puce retournée (20) contient : une couche de grille métallique (201) pourvue de fils métalliques (2011) disposés parallèlement les uns aux autres; un substrat de tranche (202) disposé sous la couche de grille métallique (201); une couche dopée N (203) et un conducteur négatif (208) disposés sous le substrat de tranche (202); une couche de puits quantique (204) disposée sous la couche dopée N (203); une couche dopée P (205) disposée sous la couche de puits quantique (204); une couche en une substance optiquement active (206) disposée sous la couche dopée P (205); une couche réfléchissante (207) disposée sous la couche en une substance optiquement active (206); et un conducteur positif (209) disposé sous la couche réfléchissante (207). La puce retournée (20), la source de lumière plane (10) et l'appareil d'affichage (100) utilisant la source de lumière plane (10) améliorent significativement l'efficacité d'émission de lumière de la source de lumière plane (10) dans une direction de grand angle et élargissent la plage de l'angle de visualisation de la source de lumière plane (10).
(ZH)
一种倒装芯片(20)、面光源(10)及采用该面光源(10)的显示装置(100),倒装芯片(20)包括金属栅层(201),具有相互平行排列的金属线(2011);晶片衬底(202),设于金属栅层(201)的下方;N掺杂层(203)及负极导线(208),均设于晶片衬底(202)的下方;量子阱层(204),设于N掺杂层(203)的下方;P掺杂层(205),设于量子阱层(204)的下方;旋光物质层(206),设于P掺杂层(205)的下方;反射层(207),设于旋光物质层(206)的下方;正极导线(209),设于反射层的下方(207)。该倒装芯片(20)、面光源(10)及采用该面光源(10)的显示装置(100),有效提升了面光源(10)在大角度方向的出光效率,扩大了面光源(10)的可视角范围。
Également publié en tant que
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