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1. WO2020023953 - FORMATION DE MOTIFS SUR PLATINE PAR ALLIAGE ET GRAVURE D'ALLIAGE DE PLATINE

Numéro de publication WO/2020/023953
Date de publication 30.01.2020
N° de la demande internationale PCT/US2019/043850
Date du dépôt international 29.07.2019
CIB
H01L 21/283 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
283Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes
H01L 29/43 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
40Electrodes
43caractérisées par les matériaux dont elles sont constituées
CPC
B81C 1/00539
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
1Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
00436Shaping materials, i.e. techniques for structuring the substrate or the layers on the substrate
00523Etching material
00539Wet etching
C23F 1/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE
1Etching metallic material by chemical means
02Local etching
C23F 1/30
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE
1Etching metallic material by chemical means
10Etching compositions
14Aqueous compositions
16Acidic compositions
30for etching other metallic material
C23F 1/44
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE
1Etching metallic material by chemical means
44Compositions for etching metallic material from a metallic material substrate of different composition
H01L 21/244
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
24Alloying of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, with a semiconductor body
244Alloying of electrode materials
H01L 21/30604
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
30604Chemical etching
Déposants
  • TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED [US]/[US]
  • TEXAS INSTRUMENTS JAPAN LIMITED [JP]/[JP] (JP)
Inventeurs
  • MEIER, Sebastian
  • RINCK, Helmut
Mandataires
  • ABRAHAM, Ebby
  • GARNER, Jacqueline
Représentant commun
  • TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
Données relatives à la priorité
16/523,86726.07.2019US
62/703,93727.07.2018US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) PATTERNING PLATINUM BY ALLOYING AND ETCHING PLATINUM ALLOY
(FR) FORMATION DE MOTIFS SUR PLATINE PAR ALLIAGE ET GRAVURE D'ALLIAGE DE PLATINE
Abrégé
(EN)
There is provided a method of patterning platinum on a substrate (101). A platinum layer (103) is deposited on the substrate, and a patterned photoresist layer (105) is formed over the platinum layer leaving partly exposed regions of the platinum layer. An aluminum layer (109) is deposited over the partly exposed regions of the platinum layer (103). An alloy (111) is formed of aluminum with platinum from the partly exposed regions. The platinum aluminum alloy (111) is etched away leaving a remaining portion of the platinum layer (103) to form a patterned platinum layer on the substrate (101). Preferably, a thin hard mask layer (107) is deposited on the platinum layer (103) on the semiconductor substrate (101) before the patterned photoresist layer (105) is formed.
(FR)
L’invention concerne un procédé de formation de motifs sur platine sur un substrat. Une couche de platine (103) est déposée sur le substrat, et une couche de résine photosensible à motifs (105) est formée sur la couche de platine en laissant des régions partiellement exposées de la couche de platine. Une couche d'aluminium (109) est déposée sur les régions partiellement exposées de la couche de platine (103). Un alliage (111) est formé d'aluminium avec du platine à partir des régions partiellement exposées. L'alliage d'aluminium de platine (111) est gravé en laissant une partie restante de la couche de platine (103) pour former une couche de platine à motifs sur le substrat (101). De préférence, une fine couche de masque dur (107) est déposée sur la couche de platine (103) sur le substrat semi-conducteur (101) avant que la couche de résine photosensible à motifs (105) ne soit formée.
Également publié en tant que
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