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1. WO2020022684 - DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE AYANT UNE COUCHE D'OXYDE DE ZINC ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2020/022684
Date de publication 30.01.2020
N° de la demande internationale PCT/KR2019/008738
Date du dépôt international 16.07.2019
CIB
H01L 33/42 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
36caractérisés par les électrodes
40Matériaux
42Matériaux transparents
H01L 33/38 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
36caractérisés par les électrodes
38ayant une forme particulière
H01L 33/22 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
20ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
22Surfaces irrégulières ou rugueuses, p.ex. à l'interface entre les couches épitaxiales
H01L 33/00 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
H01L 27/15 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
15comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
H01L 33/44 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
44caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet
CPC
H01L 2924/12041
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
11Device type
12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
1204Optical Diode
12041LED
H01L 2933/0016
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2933Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
0008Processes
0016relating to electrodes
H01L 33/007
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
005Processes
0062for devices with an active region comprising only III-V compounds
0066with a substrate not being a III-V compound
007comprising nitride compounds
H01L 33/32
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
26Materials of the light emitting region
30containing only elements of group III and group V of the periodic system
32containing nitrogen
H01L 33/38
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
36characterised by the electrodes
38with a particular shape
H01L 33/42
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
36characterised by the electrodes
40Materials therefor
42Transparent materials
Déposants
  • 서울바이오시스주식회사 SEOUL VIOSYS CO., LTD. [KR]/[KR]
Inventeurs
  • 이섬근 LEE, Seom Geun
  • 신찬섭 SHIN, Chan Seob
Mandataires
  • 특허법인에이아이피 AIP PATENT & LAW FIRM
Données relatives à la priorité
10-2018-008599224.07.2018KR
Langue de publication coréen (KO)
Langue de dépôt coréen (KO)
États désignés
Titre
(EN) LIGHT-EMITTING DIODE HAVING ZINC OXIDE LAYER AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE AYANT UNE COUCHE D'OXYDE DE ZINC ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(KO) 아연 산화물층을 구비하는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
Abrégé
(EN)
A light-emitting diode having a zinc oxide layer and a method for manufacturing same are disclosed. A light-emitting diode according to one embodiment comprises: a light-emitting structure including a gallium nitride-based first conductive semiconductor layer, a gallium nitride-based second conductive semiconductor layer, and an active layer interposed therebetween; and a ZnO transparent electrode layer positioned on the second conductive semiconductor layer, wherein: the ZnO transparent electrode layer comprises a ZnO seed layer, and a ZnO bulk layer formed on the ZnO seed layer; the ZnO bulk layer is porous in comparison with the ZnO seed layer; and the interface between the ZnO seed layer and the second conductive semiconductor layer is flatter than the interface between the ZnO seed layer and the ZnO bulk layer, and the interface between the ZnO seed layer and the ZnO bulk layer has an irregular, uneven form.
(FR)
L'invention concerne une diode électroluminescente ayant une couche d'oxyde de zinc et son procédé de fabrication. Une diode électroluminescente selon un mode de réalisation comprend : une structure électroluminescente comprenant une première couche semi-conductrice conductrice à base de nitrure de gallium, une seconde couche semi-conductrice conductrice à base de nitrure de gallium, et une couche active interposée entre celles-ci ; et une couche d'électrode transparente de ZnO positionnée sur la seconde couche semi-conductrice conductrice, la couche d'électrode transparente de ZnO comprenant une couche de germe de ZnO, et une couche massive de ZnO formée sur la couche de germe de ZnO ; la couche massive de ZnO est poreuse par rapport à la couche de germe de ZnO ; et l'interface entre la couche de germe de ZnO et la seconde couche semi-conductrice conductrice est plus plate que l'interface entre la couche de germe de ZnO et la couche de substrat de ZnO, et l'interface entre la couche de germe de ZnO et la couche de substrat de ZnO a une forme irrégulière non uniforme.
(KO)
아연 산화물층을 구비하는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법이 개시된다. 일 실시예에 따른 발광 다이오드는, 질화갈륨 계열의 제1 도전형 반도체층, 질화갈륨 계열의 제2 도전형 반도체층, 및 이들 사이에 개재된 활성층을 포함하는 발광 구조체; 및 상기 제2 도전형 반도체층 상에 위치하는 ZnO 투명 전극층을 포함하되, 상기 ZnO 투명 전극층은 ZnO 씨드층 및 상기 ZnO 씨드층 상에 형성된 ZnO 벌크층을 포함하고, 상기 ZnO 벌크층은 상기 ZnO 씨드층에 비해 다공성이며, 상기 ZnO 씨드층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이의 계면이 상기 ZnO 씨드층과 상기 ZnO 벌크층 사이의 계면보다 더 평평하고, 상기 ZnO 씨드층과 상기 ZnO 벌크층 사이의 계면은 불규칙적인 요철 형상을 갖는다.
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international