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1. WO2020022187 - SYSTÈME DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT

Numéro de publication WO/2020/022187
Date de publication 30.01.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/028312
Date du dépôt international 18.07.2019
CIB
H01L 21/306 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
H01L 21/304 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
CPC
H01L 21/304
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
H01L 21/306
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
Déposants
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 大川 理 OOKAWA, Satoshi
Mandataires
  • 金本 哲男 KANEMOTO, Tetsuo
  • 萩原 康司 HAGIWARA, Yasushi
  • 扇田 尚紀 OGITA, Naoki
  • 三根 卓也 MINE, Takuya
Données relatives à la priorité
2018-14043826.07.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
(FR) SYSTÈME DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理システム及び基板処理方法
Abrégé
(EN)
A substrate processing system for processing a substrate, which comprises: an etching device that etches a substrate; and a control device that controls the etching device. The etching device comprises: a liquid supply nozzle which supplies a processing liquid to the substrate; a thickness measurement unit which is arranged integrally with the liquid supply nozzle and measures the thickness of the substrate without coming into contact with the substrate; and a transfer mechanism which transfers the liquid supply nozzle and the thickness measurement unit in the horizontal direction. The control device controls the liquid supply nozzle, the thickness measurement unit and the transfer mechanism so that the thickness of the substrate is measured by the thickness measurement unit, while having the liquid supply nozzle and the thickness measurement unit transferred in the horizontal direction.
(FR)
L'invention concerne un système de traitement de substrat permettant de traiter un substrat, qui comprend : un dispositif de gravure qui grave un substrat; et un dispositif de commande qui commande le dispositif de gravure. Le dispositif de gravure comprend : une buse d'alimentation en liquide qui fournit un liquide de traitement au substrat; une unité de mesure d'épaisseur qui est agencée d'un seul tenant avec la buse d'alimentation en liquide et qui mesure l'épaisseur du substrat sans entrer en contact avec le substrat; et un mécanisme de transfert qui transfère la buse d'alimentation en liquide et l'unité de mesure d'épaisseur dans la direction horizontale. Le dispositif de commande commande la buse d'alimentation en liquide, l'unité de mesure d'épaisseur et le mécanisme de transfert de telle sorte que l'épaisseur du substrat est mesurée par l'unité de mesure d'épaisseur, alors que la buse d'alimentation en liquide et l'unité de mesure d'épaisseur sont transférées dans la direction horizontale.
(JA)
基板を処理する基板処理システムであって、基板をエッチングするエッチング装置と、前記エッチング装置を制御する制御装置と、を有し、前記エッチング装置は、基板に処理液を供給する液供給ノズルと、前記液供給ノズルと一体に設けられ、基板に接触せずに当該基板の厚みを計測する厚み計測部と、前記液供給ノズルと前記厚み計測部を水平方向に移動させる移動機構と、を有し、前記制御装置は、前記液供給ノズルと前記厚み計測部を水平方向に移動させながら、当該厚み計測部によって基板の厚みを計測するように、前記液供給ノズル、前記厚み計測部、及び前記移動機構を制御する。
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