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1. WO2020015665 - DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET CELLULE SOLAIRE

Numéro de publication WO/2020/015665
Date de publication 23.01.2020
N° de la demande internationale PCT/CN2019/096270
Date du dépôt international 17.07.2019
CIB
H01L 23/29 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
28Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
29caractérisées par le matériau
CPC
H01L 23/29
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, ; e.g. for protection
29characterised by the material ; , e.g. carbon
Y02P 70/50
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
70Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Déposants
  • 东丽先端材料研究开发(中国)有限公司 TORAY ADVANCED MATERIALS RESEARCH LABORATORIES (CHINA) CO., LTD. [CN]/[CN] (CN)
  • 东丽株式会社 TORAY INDUSTRIES, INC. [JP]/[JP] (AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BH, BJ, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CL, CM, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IR, IS, IT, JO, JP, KE, KG, KH, KM, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MT, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, ST, SV, SY, SZ, TD, TG, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW)
Inventeurs
  • 徐芳荣 XU, Fangrong
  • 李平 LI, Ping
  • 池田武史 IKEDA, Takeshi
  • 弓場智之 YUBA, Tomoyuki
Mandataires
  • 北京市金杜律师事务所 KING & WOOD MALLESONS
Données relatives à la priorité
201810794371.X19.07.2018CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND SOLAR CELL
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET CELLULE SOLAIRE
(ZH) 一种半导体器件及太阳能电池
Abrégé
(EN)
Provided is a semiconductor device including an insulating material (3). The insulating material (3) is a thermosetting resin composition. The thermosetting resin composition can be used to improve device performance by reducing current leakage. The excellent stability of the material can also extend the service life of the device. The material can be cured at both a high and low temperature, and is particularly suited for a device manufactured under low temperature conditions.
(FR)
L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur comprenant un matériau isolant (3). Le matériau isolant (3) est une composition de résine thermodurcissable. La composition de résine thermodurcissable peut être utilisée pour améliorer les performances du dispositif en réduisant les fuites de courant. L'excellente stabilité du matériau peut également prolonger la durée de vie du dispositif. Le matériau peut être durci à la fois à haute et basse température, et est particulièrement approprié pour un dispositif fabriqué dans des conditions de basse température.
(ZH)
一种半导体器件,所述半导体器件中包含绝缘材料(3);所述绝缘材料(3)为热固性树脂组合物。使用该树脂组合物可以实现漏电减少而带来的器件性能提升。而且,由于该材料的良好稳定性,可以大幅度提高器件的使用寿命。并且,该材料不仅可以高温固化,还可以实现较低温的固化,对于制作过程需要低温条件的器件更具优异性。
Également publié en tant que
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