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1. WO2020014240 - INTERFACES DIFFUSÉES SÉLECTIVES DE SUPPORT DANS DES CELLULES SOLAIRES DE PÉROVSKITE

Numéro de publication WO/2020/014240
Date de publication 16.01.2020
N° de la demande internationale PCT/US2019/041023
Date du dépôt international 09.07.2019
CIB
H01G 9/20 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
GCONDENSATEURS; CONDENSATEURS, REDRESSEURS, DÉTECTEURS, DISPOSITIFS DE COMMUTATION, DISPOSITIFS PHOTOSENSIBLES OU SENSIBLES À LA TEMPÉRATURE, DU TYPE ÉLECTROLYTIQUE
9Condensateurs électrolytiques, redresseurs électrolytiques, détecteurs électrolytiques, dispositifs de commutation électrolytiques, dispositifs électrolytiques photosensibles ou sensibles à la température; Procédés pour leur fabrication
20Dispositifs photosensibles
H01L 51/42 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
42spécialement adaptés pour détecter les rayons infrarouges, la lumière, le rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou le rayonnement corpusculaire; spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
H01L 51/46 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
42spécialement adaptés pour détecter les rayons infrarouges, la lumière, le rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou le rayonnement corpusculaire; spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
46Emploi de matériaux spécifiés
CPC
H01L 2251/308
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2251Indexing scheme relating to organic semiconductor devices covered by group H01L51/00
30Materials
301Inorganic materials
303Oxides, e.g. metal oxides
305Transparent conductive oxides [TCO]
308composed of indium oxides, e.g. ITO
H01L 51/4226
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
42specially adapted for sensing infra-red radiation, light, electro-magnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation ; using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other material as the active part; Multistep processes for their manufacture
4213Comprising organic semiconductor-inorganic semiconductor hetero-junctions
422Majority carrier devices using sensitisation of widebandgap semiconductors, e.g. TiO2
4226the wideband gap semiconductor comprising titanium oxide, e.g. TiO2
H01L 51/4293
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
42specially adapted for sensing infra-red radiation, light, electro-magnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation ; using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other material as the active part; Multistep processes for their manufacture
4293Devices having a p-i-n structure
Y02E 10/549
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
10Energy generation through renewable energy sources
50Photovoltaic [PV] energy
549Organic PV cells
Déposants
  • ENERGY EVERYWHERE, INC. [US]/[US]
Inventeurs
  • POLISHAK, Brent
  • ROBINSON, Matthew
Mandataires
  • PLATI, Francis G. Sr.
  • LARGENT, Craig
Données relatives à la priorité
62/695,35009.07.2018US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) DIFFUSED CARRIER SELECTIVE INTERFACES IN PEROVSKITE SOLAR CELLS
(FR) INTERFACES DIFFUSÉES SÉLECTIVES DE SUPPORT DANS DES CELLULES SOLAIRES DE PÉROVSKITE
Abrégé
(EN)
A photovoltaic device includes: a superstrate; a first collector formed on the superstrate; a cross-linked hole transport layer (HTL) formed on the first collector; a perovskite (PVSK) crystal formed on the cross-linked HTL; a diffused interface formed by diffusion of the PVSK into the cross-linked HTL; an electron transport layer (ETL) formed on the PVSK crystal; and a second collector formed on the ETL.
(FR)
Un dispositif photovoltaïque comprend : un superstrat ; un premier collecteur formé sur le superstrat ; une couche de transport à trous (HTL) réticulée formée sur le premier collecteur ; un cristal de pérovskite (PVSK) formé sur la HTL réticulée ; une interface diffusée formée par diffusion de la PVSK dans la HTL réticulée ; une couche de transport d'électrons (ETL) formée sur le cristal de PVSK ; et un second collecteur formé sur l'ETL.
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