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1. WO2020013119 - SOLUTION CHIMIQUE, RÉCIPIENT DE SOLUTION CHIMIQUE, KIT ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE PUCE SEMI-CONDUCTRICE

Numéro de publication WO/2020/013119
Date de publication 16.01.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/026964
Date du dépôt international 08.07.2019
CIB
G03F 7/16 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
16Procédés de couchage; Appareillages à cet effet
C09K 3/14 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
09COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
KSUBSTANCES POUR DES APPLICATIONS NON PRÉVUES AILLEURS; APPLICATIONS DE SUBSTANCES NON PRÉVUES AILLEURS
3Substances non couvertes ailleurs
14Substances antidérapantes; Abrasifs
C11D 7/22 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
11HUILES, GRAISSES, MATIÈRES GRASSES OU CIRES ANIMALES OU VÉGÉTALES; LEURS ACIDES GRAS; DÉTERGENTS; BOUGIES
DCOMPOSITIONS DÉTERGENTES; EMPLOI D'UNE SUBSTANCE, UTILISÉE SEULE, COMME DÉTERGENT; SAVON OU FABRICATION DU SAVON; SAVONS DE RÉSINE; RÉCUPÉRATION DE LA GLYCÉRINE
7Compositions détergentes formées essentiellement de composés non tensio-actifs
22Composés organiques
C11D 7/50 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
11HUILES, GRAISSES, MATIÈRES GRASSES OU CIRES ANIMALES OU VÉGÉTALES; LEURS ACIDES GRAS; DÉTERGENTS; BOUGIES
DCOMPOSITIONS DÉTERGENTES; EMPLOI D'UNE SUBSTANCE, UTILISÉE SEULE, COMME DÉTERGENT; SAVON OU FABRICATION DU SAVON; SAVONS DE RÉSINE; RÉCUPÉRATION DE LA GLYCÉRINE
7Compositions détergentes formées essentiellement de composés non tensio-actifs
50Solvants
G03F 7/32 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
26Traitement des matériaux photosensibles; Appareillages à cet effet
30Dépouillement selon l'image utilisant des moyens liquides
32Compositions liquides à cet effet, p.ex. développateurs
H01L 21/304 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
CPC
C09K 3/14
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
3Materials not provided for elsewhere
14Anti-slip materials; Abrasives
C11D 7/22
CCHEMISTRY; METALLURGY
11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
DDETERGENT COMPOSITIONS
7Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
22Organic compounds
C11D 7/50
CCHEMISTRY; METALLURGY
11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
DDETERGENT COMPOSITIONS
7Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
50Solvents
G03F 7/16
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
16Coating processes; Apparatus therefor
G03F 7/32
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
30Imagewise removal using liquid means
32Liquid compositions therefor, e.g. developers
H01L 21/304
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
Déposants
  • 富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 上村 哲也 KAMIMURA Tetsuya
Mandataires
  • 伊東 秀明 ITOH Hideaki
  • 三橋 史生 MITSUHASHI Fumio
Données relatives à la priorité
2018-13166511.07.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) CHEMICAL SOLUTION, CHEMICAL SOLUTION CONTAINER, KIT, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR CHIP
(FR) SOLUTION CHIMIQUE, RÉCIPIENT DE SOLUTION CHIMIQUE, KIT ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE PUCE SEMI-CONDUCTRICE
(JA) 薬液、薬液収容体、キット、半導体チップの製造方法
Abrégé
(EN)
The present invention provides: a chemical solution having an excellent defect-inhibitory effect; a chemical solution container; a kit; and a method for producing a semiconductor chip. This chemical solution contains an organic solvent. The chemical solution further contains at least one first organic compound selected from the group consisting of compounds represented by general formula (I) to general formula (V). The total quantity of the first organic compound falls within the range of 0.01 to 100,000 ppt by mass with respect to the total mass of the chemical solution.
(FR)
La présente invention concerne une solution chimique ayant un excellent effet inhibiteur de défaut; un récipient de solution chimique; un kit; et un procédé de production d'une puce semi-conductrice. Cette solution chimique contient un solvant organique. La solution chimique contient en outre au moins un premier composé organique choisi dans le groupe constitué par les composés représentés par la formule générale (I) à la formule générale (V). La quantité totale du premier composé organique s'inscrit dans la plage de 0,01 à 100 000 ppt en masse par rapport à la masse totale de la solution chimique.
(JA)
本発明は、欠陥抑制性に優れる薬液、薬液収容体、キット、及び、半導体チップの製造方法を提供する。本発明の薬液は、有機溶剤を含有する薬液であって、一般式(I)~一般式(V)で表される化合物からなる群から選択される少なくとも1種の第1有機化合物を含有し、第1有機化合物の合計含有量が、薬液全質量に対して、0.01~100000質量pptである。
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international