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1. WO2020011054 - THYRISTOR BLOCABLE PAR LA GÂCHETTE AU CARBURE DE SILICIUM ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2020/011054
Date de publication 16.01.2020
N° de la demande internationale PCT/CN2019/094299
Date du dépôt international 02.07.2019
CIB
H01L 29/745 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
70Dispositifs bipolaires
74Dispositifs du type thyristor, p.ex. avec un fonctionnement par régénération à quatre zones
744Dispositifs désamorçables par la gâchette
745désamorcés par effet de champ
H01L 21/332 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
328Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type bipolaire, p.ex. diodes, transistors, thyristors
33les dispositifs comportant trois électrodes ou plus
332Thyristors
H01L 29/06 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02Corps semi-conducteurs
06caractérisés par leur forme; caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
CPC
H01L 29/0661
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
06characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
0657characterised by the shape of the body
0661specially adapted for altering the breakdown voltage by removing semiconductor material at, or in the neighbourhood of, a reverse biased junction, e.g. by bevelling, moat etching, depletion etching
H01L 29/66363
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
66007Multistep manufacturing processes
66075of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
66227the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
66363Thyristors
H01L 29/745
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
70Bipolar devices
74Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action
744Gate-turn-off devices
745with turn-off by field effect
Déposants
  • 杭州优捷敏半导体技术有限公司 HANGZHOU UG MIN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO. LTD [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 李思敏 LI, Simin
Mandataires
  • 北京北新智诚知识产权代理有限公司 BEIJING BEIXIN-ZHICHENG INTELLECTUAL PROPERTY AGENT CO., LTD.
Données relatives à la priorité
201810756210.111.07.2018CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) SILICON CARBIDE GATE TURN-OFF THYRISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) THYRISTOR BLOCABLE PAR LA GÂCHETTE AU CARBURE DE SILICIUM ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 一种碳化硅门极可关断晶闸管及其制造方法
Abrégé
(EN)
A silicon carbide gate turn-off thyristor is a PNPN four-layer SiC structure arranged on an N+ type SiC substrate (10), the upper layer thereof is a plurality of strips composed of a plurality of repeatedly arranged upper tube P-type emitter regions (3), the middle layer is composed of an upper tube N-type base region (2), an upper tube N-type concentrated base region (6) and an upper tube N-type concentrated base area bus bar (5), wherein the upper tube N-type concentrated base region (6) is intersected with or parallel to the upper tube N-type concentrated base area bus bar (5), and the upper surface of the upper tube N-type concentrated base area bus bar (5) is connected with the gate metal layer (9). The silicon carbide gate turn-off thyristor can reduce the surrounding current density, and improve the capability of resisting dI/dt and dV/dt.
(FR)
L'invention concerne un thyristor blocable par la gâchette au carbure de silicium qui est une structure de SiC à quatre couches PNPN disposée sur un substrat de SiC de type N + (10), la couche supérieure de celui-ci est une pluralité de bandes composées d'une pluralité de régions émettrices de type P de tube supérieur disposées de façon répétée (3), la couche intermédiaire est composée d'une région de base de type N de tube supérieur (2), d'une région de base concentrée de type N de tube supérieur (6) et une barre omnibus de zone de base concentrée de type N de tube supérieur (5), la région de base concentrée de type N de tube supérieur (6) étant coupée ou parallèle à la barre omnibus de zone de base concentrée de type N de tube supérieur (5), et la surface supérieure de la barre omnibus de zone de base concentrée de type N de tube supérieur (5) est connectée à la couche métallique de grille (9). Le thyristor blocable par la gâchette au carbure de silicium peut réduire la densité de courant environnant, et améliorer la capacité de résister à dI/dt et dV/dt.
(ZH)
一种碳化硅门极可关断晶闸管,为在N+型SiC衬底(10)上面设有的PNPN四层SiC结构,其上层为多条由复数个重复排列的上管P型发射区(3)组成的条带,中层由上管N型基区(2)、上管N型浓基区(6)和上管N型浓基区汇流条(5)组成,上管N型浓基区(6)与上管N型浓基区汇流条(5)相交或平行,上管N型浓基区汇流条(5)的上表面与门极金属层(9)连接。该碳化硅门极可关断晶闸管可降低周边的电流密度,提高抗dI/dt和抗dV/dt的能力。
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