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1. WO2020009145 - PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN COMPOSANT PASSIF HAUTE FRÉQUENCE

Numéro de publication WO/2020/009145
Date de publication 09.01.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/026447
Date du dépôt international 03.07.2019
CIB
H01P 11/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
PGUIDES D'ONDES; RÉSONATEURS, LIGNES OU AUTRES DISPOSITIFS DU TYPE GUIDE D'ONDES
11Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de guides d'ondes, résonateurs, lignes ou autres dispositifs du type guide d'ondes
H01L 23/15 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
12Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles
14caractérisés par le matériau ou par ses propriétés électriques
15Substrats en céramique ou en verre
H01P 3/12 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
PGUIDES D'ONDES; RÉSONATEURS, LIGNES OU AUTRES DISPOSITIFS DU TYPE GUIDE D'ONDES
3Guides d'ondes; Lignes de transmission du type guide d'ondes
12Guides d'ondes creux
H05K 3/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
05TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
KCIRCUITS IMPRIMÉS; ENVELOPPES OU DÉTAILS DE RÉALISATION D'APPAREILS ÉLECTRIQUES; FABRICATION D'ENSEMBLES DE COMPOSANTS ÉLECTRIQUES
3Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés
CPC
H01L 23/15
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
12Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
14characterised by the material or its electrical properties
15Ceramic or glass substrates
H01P 11/00
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
11Apparatus or processes specially adapted for manufacturing waveguides or resonators, lines, or other devices of the waveguide type
H01P 3/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
3Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
12Hollow waveguides
H05K 3/00
HELECTRICITY
05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
3Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
Déposants
  • 株式会社フジクラ FUJIKURA LTD. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 額賀 理 NUKAGA Osamu
Mandataires
  • 棚井 澄雄 TANAI Sumio
  • 五十嵐 光永 IGARASHI Koei
  • 小室 敏雄 KOMURO Toshio
  • 清水 雄一郎 SHIMIZU Yuichiro
Données relatives à la priorité
2018-12936706.07.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR PRODUCING HIGH-FREQUENCY PASSIVE COMPONENT
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN COMPOSANT PASSIF HAUTE FRÉQUENCE
(JA) 高周波受動部品の製造方法
Abrégé
(EN)
This production method is for producing a high-frequency passive component that includes: a substrate comprising a dielectric material; and at least one of a through electrode and a side wall formed on the substrate. In the production method, a prototype having a recess that corresponds to at least one of a side wall and a through electrode is produced from glass, a mold that has a protrusion corresponding to the recess is produced from a metal using the prototype, a substrate comprising a first main surface on which a recess corresponding to the protrusion opens and a second main surface on the opposite side from the first main surface is produced from a resin using the mold, the second main surface of the substrate is polished, part of the recess forms an exposed section that is exposed on the second main surface, and a conductive layer serving as at least one of a side wall and a through electrode is formed on the recess opening on the first main surface of the substrate or on the exposed section exposed on the second main surface of the substrate.
(FR)
L'invention concerne un procédé de production qui est destiné à produire un composant passif haute fréquence qui comprend : un substrat comprenant un matériau diélectrique ; et au moins l'une d'une électrode traversante et d'une paroi latérale formée sur le substrat. Dans le procédé de fabrication, un prototype ayant un évidement qui correspond à une paroi latérale et/ou une électrode traversante est produit à partir de verre, un moule qui a une saillie correspondant à l'évidement est produit à partir d'un métal à l'aide du prototype, un substrat comprenant une première surface principale sur laquelle un évidement correspondant à la saillie s'ouvre et une seconde surface principale sur le côté opposé à la première surface principale est produite à partir d'une résine à l'aide du moule, la seconde surface principale du substrat est polie, une partie de l'évidement forme une section exposée qui est exposée sur la seconde surface principale, et une couche conductrice servant d'une paroi latérale et/ou d'une électrode traversante est formée sur l'ouverture d'évidement sur la première surface principale du substrat ou sur la section exposée exposée sur la seconde surface principale du substrat.
(JA)
本発明の製造方法は、誘電体からなる基板と、前記基板に形成された側壁および貫通電極のうち少なくとも一方とを有する高周波受動部品を製造する。この製造方法は、側壁および貫通電極のうち少なくとも一方に対応する凹部を有する原型をガラスから作製し、前記原型を用いて、前記凹部に対応する凸部を有する型を金属から作製し、前記型を用いて、前記凸部に対応する凹部が開口する第1主面と、前記第1主面とは反対側の第2主面とを有する基板を樹脂から作製し、前記基板の前記第2主面を研磨して、前記凹部の一部が前記第2主面に露出した露出部を形成し、前記基板の前記第1主面に開口する前記凹部、または、前記基板の前記第2主面に露出した前記露出部に、側壁および貫通電極のうち少なくとも一方となる導体層を形成する。
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