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1. WO2020008831 - DISPOSITIF DE TRAITEMENT THERMIQUE DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT THERMIQUE DE SUBSTRAT

Numéro de publication WO/2020/008831
Date de publication 09.01.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/023477
Date du dépôt international 13.06.2019
CIB
H01L 21/027 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
H01L 21/304 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
CPC
H01L 21/027
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
H01L 21/304
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
Déposants
  • 株式会社SCREENホールディングス SCREEN HOLDINGS CO., LTD. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 岡本 大輝 OKAMOTO Daiki
  • 芝 康裕 SHIBA Yasuhiro
  • 和食 雄大 WAJIKI Takehiro
Mandataires
  • 杉谷 勉 SUGITANI Tsutomu
Données relatives à la priorité
2018-12614402.07.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SUBSTRATE HEAT PROCESSING DEVICE AND SUBSTRATE HEAT PROCESSING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT THERMIQUE DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT THERMIQUE DE SUBSTRAT
(JA) 基板熱処理装置及び基板熱処理方法
Abrégé
(EN)
According to the present invention, a plurality of exhaust ducts (29) are distributed and disposed over the entire surface of a substrate (W) when viewed in a plan view, whereby the gas of a processing atmosphere (pa) is exhausted from locations distributed over the entire surface of a substrate (W) when viewed in a plan view. Therefore, the distance from the inert gas supplied to the processing atmosphere (pa) to any of the exhaust ducts (29) can be shorter than that in prior arts, whereby the flow of the inert gas on the surface of the substrate (W) is stable and unevenness in the flow of the inert gas can be suppressed. Thus, a film to be coated is not adversely affected and uniformity of the film thickness can be improved.
(FR)
Selon la présente invention, une pluralité de conduits d'échappement (29) sont répartis et disposés sur toute la surface d'un substrat (W) vu dans une vue en plan, ce par quoi le gaz d'une atmosphère de traitement (pa) est évacué à partir d'emplacements répartis sur toute la surface d'un substrat (W) lorsqu'il est observé dans une vue en plan. Par conséquent, la distance du gaz inerte fourni à l'atmosphère de traitement (pa) à l'un quelconque des conduits d'échappement (29) peut être plus courte que celle dans les arts antérieurs, ce par quoi l'écoulement du gaz inerte sur la surface du substrat (W) est stable et l'irrégularité de l'écoulement du gaz inerte peut être supprimée. Ainsi, un film à revêtir n'est pas affecté négativement et l'uniformité de l'épaisseur du film peut être améliorée.
(JA)
複数個の排気ダクト(29)は、平面視で基板(W)の全面に分散して配置されているので、処理雰囲気(pa)の気体が平面視で基板(W)の全面に分散した箇所から排気される。したがって、処理雰囲気(pa)に供給された不活性ガスからいずれかの排気ダクト(29)までの距離が従来に比べて短くできるので、基板(W)の表面上における不活性ガスの気流が安定し、不活性ガスの気流のムラを抑制できる。したがって、塗布被膜が悪影響を受けることがなく、膜厚均一性を向上できる。
Également publié en tant que
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