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1. WO2020006662 - CIRCUIT D'ÉCRITURE À TERMINAISON AUTOMATIQUE ET PROCÉDÉ

Numéro de publication WO/2020/006662
Date de publication 09.01.2020
N° de la demande internationale PCT/CN2018/094070
Date du dépôt international 02.07.2018
CIB
G11C 11/16 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
11Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
02utilisant des éléments magnétiques
16utilisant des éléments dans lesquels l'effet d'emmagasinage est basé sur l'effet de spin
G11C 16/06 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
16Mémoires mortes programmables effaçables
02programmables électriquement
06Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire
CPC
G11C 11/16
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
G11C 16/06
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
16Erasable programmable read-only memories
02electrically programmable
06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
Déposants
  • 华为技术有限公司 HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 潘越 PAN, Yue
  • 刘燕翔 LIU, Yanxiang
  • 段霑 DUAN, Zhan
Mandataires
  • 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) SHENPAT INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY
Données relatives à la priorité
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) SELF-TERMINATING WRITE CIRCUIT AND METHOD
(FR) CIRCUIT D'ÉCRITURE À TERMINAISON AUTOMATIQUE ET PROCÉDÉ
(ZH) 一种自终止写入电路及方法
Abrégé
(EN)
Disclosed are a self-terminating write circuit and method for realizing self-termination of storage array circuits in different states by means of the same self-terminating write control circuit. The self-terminating write circuit of the present application comprises: an sense amplifier (201) and a control circuit (202), wherein the sense amplifier (201) is used for comparing a reference voltage or reference current output by a reference circuit (203) with the magnitude of a voltage or current output by a storage array circuit (204); and the control circuit (202) is used for generating a termination signal according to a comparison result and feeding back the termination signal to the storage array circuit (204), the termination signal being used for controlling the storage array circuit (204) to stop writing a P state or an AP state. Self-termination of writing is realized after the storage array circuit (204) completes state writing, thereby saving on the overhead area of a circuit and reducing the power consumption.
(FR)
L'invention concerne un circuit d'écriture à terminaison automatique et un procédé permettant de réaliser une terminaison automatique de circuits de réseau de stockage dans différents états au moyen du même circuit de commande d'écriture à terminaison automatique. Le circuit d'écriture à terminaison automatique de la présente invention comprend : un amplificateur de détection (201) et un circuit de commande (202), l'amplificateur de détection (201) étant utilisé pour comparer une tension de référence ou un courant de référence délivré en sortie par un circuit de référence (203) avec l'amplitude d'une tension ou d'un courant délivré en sortie par un circuit de réseau de stockage (204) ; et le circuit de commande (202) est utilisé pour générer un signal de terminaison selon un résultat de comparaison et renvoyer le signal de terminaison au circuit de réseau de stockage (204), le signal de terminaison étant utilisé pour commander le circuit de réseau de stockage (204) afin d'arrêter l'écriture d'un état P ou d'un état AP. Une terminaison automatique d'écriture est réalisée après que le circuit de réseau de stockage (204) achève l'écriture d'état, ce qui permet d'économiser sur la zone de surdébit d'un circuit et de réduire la consommation d'énergie.
(ZH)
本申请公开了一种自终止写入电路及方法,用于对处于不同状态的存储阵列电路通过同一个自终止写入控制电路实现自终止。本申请自终止写入电路,包括:灵敏放大器(201)和控制电路(202);灵敏放大器(201)用于比较参考电路(203)输出的参考电压或参考电流和存储阵列电路(204)输出的电压或电流大小;控制电路(202)用于根据比较结果生成终止信号,并反馈所述终止信号至所述存储阵列电路(204),所述终止信号用于控制所述存储阵列电路(204)停止写入P状态或AP状态。在存储阵列电路(204)完成状态写入后实现写入自终止,节省了电路的开销面积,降低了功耗。
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