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1. WO2020006180 - STRUCTURES MAGNÉTORÉSISTIVES EMPILÉES ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS

Numéro de publication WO/2020/006180
Date de publication 02.01.2020
N° de la demande internationale PCT/US2019/039420
Date du dépôt international 27.06.2019
CIB
G11C 11/16 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
11Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
02utilisant des éléments magnétiques
16utilisant des éléments dans lesquels l'effet d'emmagasinage est basé sur l'effet de spin
G11C 11/56 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
11Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
56utilisant des éléments d'emmagasinage comportant plus de deux états stables représentés par des échelons, p.ex. de tension, de courant, de phase, de fréquence
CPC
G11C 11/161
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
161details concerning the memory cell structure, e.g. the layers of the ferromagnetic memory cell
G11C 11/1673
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
165Auxiliary circuits
1673Reading or sensing circuits or methods
G11C 11/1675
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
165Auxiliary circuits
1675Writing or programming circuits or methods
G11C 11/5607
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
56using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency
5607using magnetic storage elements
G11C 2211/5615
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
2211Indexing scheme relating to digital stores characterized by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
56Indexing scheme relating to G11C11/56 and sub-groups for features not covered by these groups
561Multilevel memory cell aspects
5615Multilevel magnetic memory cell using non-magnetic non-conducting interlayer, e.g. MTJ
G11C 2211/5622
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
2211Indexing scheme relating to digital stores characterized by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
56Indexing scheme relating to G11C11/56 and sub-groups for features not covered by these groups
562Multilevel memory programming aspects
5622Concurrent multilevel programming of more than one cell
Déposants
  • EVERSPIN TECHNOLOGIES, INC. [US]/[US]
Inventeurs
  • SUN, Jijun
  • MANCOFF, Frederick
  • JANESKY, Jason
  • CONLEY, Kevin
  • HUI, Lu
  • IKEGAWA, Sumio
Mandataires
  • RUSSELL, Thara
Données relatives à la priorité
62/691,29628.06.2018US
62/691,33428.06.2018US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) STACKED MAGNETORESISTIVE STRUCTURES AND METHODS THEREFOR
(FR) STRUCTURES MAGNÉTORÉSISTIVES EMPILÉES ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS
Abrégé
(EN)
Aspects of the present disclosure are directed to magnetic tunnel junction (MTJ) structures comprising multiple MTJ bits connected in series. For example, a magnetic tunnel junction (MTJ) stack according to the present disclosure may include at least a first MTJ bit and a second MTJ bit stacked above the first MTJ bit, and a resistance state of the MTJ stack may be read by passing a single read current through both the first MTJ bit and the second MTJ bit.
(FR)
Selon certains aspects, la présente invention concerne des structures de jonction tunnel magnétique (MTJ) comprenant de multiples bits MTJ connectés en série. Par exemple, un empilement à jonction tunnel magnétique (MTJ) selon la présente invention peut comprendre au moins un premier bit MTJ et un second bit MTJ empilé au-dessus du premier bit MTJ, et un état de résistance de l'empilement MTJ peut être lu par passage d'un seul courant de lecture à travers le premier bit MTJ et le second bit MTJ.
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