Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO2020005417 - PROGRAMMATION ADAPTATIVE DE DISPOSITIFS QUBITS À POINTS QUANTIQUES

Numéro de publication WO/2020/005417
Date de publication 02.01.2020
N° de la demande internationale PCT/US2019/033307
Date du dépôt international 21.05.2019
CIB
H01L 29/80 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
80l'effet de champ étant produit par une jonction PN ou une autre jonction redresseuse
H01L 29/15 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02Corps semi-conducteurs
12caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
15Structures avec une variation de potentiel périodique ou quasi périodique, p.ex. puits quantiques multiples, superréseaux
H01L 29/12 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02Corps semi-conducteurs
12caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
H01L 29/66 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
H01L 21/02 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 25/065 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
065les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L27/81
CPC
G06F 1/20
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
1Details not covered by groups G06F3/00G06F13/00 and G06F21/00
16Constructional details or arrangements
20Cooling means
G06F 1/206
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
1Details not covered by groups G06F3/00G06F13/00 and G06F21/00
16Constructional details or arrangements
20Cooling means
206comprising thermal management
G06F 17/18
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
17Digital computing or data processing equipment or methods, specially adapted for specific functions
10Complex mathematical operations
18for evaluating statistical data ; , e.g. average values, frequency distributions, probability functions, regression analysis
G06F 2200/201
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
2200Indexing scheme relating to G06F1/04 - G06F1/32
20Indexing scheme relating to G06F1/20
201Cooling arrangements using cooling fluid
G06N 10/00
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
NCOMPUTER SYSTEMS BASED ON SPECIFIC COMPUTATIONAL MODELS
10Quantum computers, i.e. computer systems based on quantum-mechanical phenomena
G06N 20/00
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
NCOMPUTER SYSTEMS BASED ON SPECIFIC COMPUTATIONAL MODELS
20Machine learning
Déposants
  • INTEL CORPORATION [US]/[US]
Inventeurs
  • LAMPERT, Lester
  • PILLARISETTY, Ravi
  • THOMAS, Nicole K.
  • GEORGE, Hubert C.
  • ROBERTS, Jeanette M.
  • MICHALAK, David J.
  • CAUDILLO, Roman
  • YOSCOVITS, Zachary R.
  • CLARKE, James S.
Mandataires
  • HARTMANN, Natalya
Données relatives à la priorité
16/016,84025.06.2018US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) ADAPTIVE PROGRAMMING OF QUANTUM DOT QUBIT DEVICES
(FR) PROGRAMMATION ADAPTATIVE DE DISPOSITIFS QUBITS À POINTS QUANTIQUES
Abrégé
(EN)
Embodiments of the present disclosure provide quantum circuit assemblies that implement adaptive programming of quantum dot qubit devices. An example quantum circuit assembly includes a quantum circuit component including a quantum dot qubit device, and a control logic coupled to the quantum circuit component. The control logic is configured to adaptively program the quantum dot qubit device by iterating a sequence of applying one or more signals to the quantum dot qubit device, determining a state of at least one qubit of the quantum dot qubit device, and using the determined state to modify the signals to be applied to the quantum dot qubit device in the next iteration. In this manner, the signals may be fine-tuned to achieve a higher probability of the qubit(s) in the quantum dot qubit device being set to the desired state.
(FR)
La présente inventions, selon des modes de réalisation, concernent des ensembles circuits quantiques qui mettent en œuvre une programmation adaptative de dispositifs qubits à points quantiques. Un ensemble circuit quantique donné à titre d'exemple comprend un composant de circuit quantique comprenant un dispositif qubit à points quantiques, et une logique de commande couplée au composant de circuit quantique. La logique de commande est configurée pour programmer de manière adaptative le dispositif qubit à points quantiques par itération d'une séquence d'application d'un ou plusieurs signaux au dispositif qubit à points quantiques, déterminer un état d'au moins un qubit du dispositif qubit à points quantiques, et utiliser l'état déterminé de façon à modifier les signaux à appliquer au dispositif qubit à points quantiques dans l'itération suivante. Ainsi, les signaux peuvent être soumis à un accordage fin de telle sorte que la probabilité que ledit qubit dans le dispositif qubit à points quantiques soit réglé à l'état recherché est plus élevée.
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international