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1. WO2020005342 - PROGRAMMATION SIMULTANÉE DE MULTIPLES CELLULES POUR DES DISPOSITIFS DE MÉMOIRE NON VOLATILE

Numéro de publication WO/2020/005342
Date de publication 02.01.2020
N° de la demande internationale PCT/US2019/021470
Date du dépôt international 08.03.2019
CIB
G11C 16/16 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
16Mémoires mortes programmables effaçables
02programmables électriquement
06Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire
10Circuits de programmation ou d'entrée de données
14Circuits pour effacer électriquement, p.ex. circuits de commutation de la tension d'effacement
16pour effacer des blocs, p.ex. des réseaux, des mots, des groupes
G11C 16/08 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
16Mémoires mortes programmables effaçables
02programmables électriquement
06Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire
08Circuits d'adressage; Décodeurs; Circuits de commande de lignes de mots
G11C 16/04 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
16Mémoires mortes programmables effaçables
02programmables électriquement
04utilisant des transistors à seuil variable, p.ex. FAMOS
G11C 7/18 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
7Dispositions pour écrire une information ou pour lire une information dans une mémoire numérique
18Organisation de lignes de bits; Disposition de lignes de bits
G11C 8/14 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
8Dispositions pour sélectionner une adresse dans une mémoire numérique
14Organisation de lignes de mots; Disposition de lignes de mots
CPC
G11C 11/5628
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
56using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency
5621using charge storage in a floating gate
5628Programming or writing circuits; Data input circuits
G11C 11/5671
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
56using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency
5671using charge trapping in an insulator
G11C 16/0483
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
16Erasable programmable read-only memories
02electrically programmable
04using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
0483comprising cells having several storage transistors connected in series
G11C 16/10
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
16Erasable programmable read-only memories
02electrically programmable
06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
10Programming or data input circuits
G11C 16/3459
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
16Erasable programmable read-only memories
02electrically programmable
06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
34Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
3436Arrangements for verifying correct programming or erasure
3454Arrangements for verifying correct programming or for detecting overprogrammed cells
3459Circuits or methods to verify correct programming of nonvolatile memory cells
G11C 2211/562
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
2211Indexing scheme relating to digital stores characterized by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
56Indexing scheme relating to G11C11/56 and sub-groups for features not covered by these groups
562Multilevel memory programming aspects
Déposants
  • SANDISK TECHNOLOGIES LLC [US]/[US]
Inventeurs
  • YANG, Xiang
  • LEE, Aaron
  • HEMINK, Gerrit Jan
  • OOWADA, Ken
  • MIWA, Toru
Mandataires
  • MAGEN, Burt
Données relatives à la priorité
16/024,00229.06.2018US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) CONCURRENT PROGRAMMING OF MULTIPLE CELLS FOR NON-VOLATILE MEMORY DEVICES
(FR) PROGRAMMATION SIMULTANÉE DE MULTIPLES CELLULES POUR DES DISPOSITIFS DE MÉMOIRE NON VOLATILE
Abrégé
(EN)
Apparatuses, systems, and methods are disclosed for concurrently programming non-volatile storage cells, such as those of an SLC NAND array. The non-volatile storage cells may be arranged into a first block comprising a first string of storage cells that intersects with a first word line at a first storage cell, a second block comprising a second string of storage cells that intersects with a second word line at a second storage cell, a bit line electrically connectable to the first string and the second string, and controller configured to apply a programming pulse, at an elevated voltage, to the first word line and second word line to concurrently program the first and second storage cells.
(FR)
L'invention concerne des appareils, des systèmes et des procédés permettant de programmer simultanément des cellules de stockage non volatiles, telles que celles d'un réseau NON-ET SLC. Les cellules de stockage non volatiles peuvent être agencées en un premier bloc comprenant une première chaîne de cellules de stockage qui croise une première ligne de mots au niveau d'une première cellule de stockage, un second bloc comprenant une seconde chaîne de cellules de stockage qui croise une seconde ligne de mots au niveau d'une seconde cellule de stockage, une ligne de bits pouvant être connectée électriquement à la première chaîne et à la seconde chaîne, et un dispositif de commande configuré pour appliquer une impulsion de programmation, à une tension élevée, à la première ligne de mots et à la seconde ligne de mots afin de programmer simultanément les première et seconde cellules de stockage.
Également publié en tant que
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