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1. WO2020003564 - DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE UTILISANT DU GRAPHÈNE, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET DÉTECTEUR D'ONDES ÉLECTROMAGNÉTIQUES LE COMPRENANT

Numéro de publication WO/2020/003564
Date de publication 02.01.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/000376
Date du dépôt international 09.01.2019
CIB
H01L 31/10 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
08dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances
10caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. photo-transistors
H01L 21/336 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335Transistors à effet de champ
336à grille isolée
H01L 27/146 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144Dispositifs commandés par rayonnement
146Structures de capteurs d'images
H01L 29/786 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
78l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786Transistors à couche mince
CPC
H01L 27/146
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
H01L 29/786
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
786Thin film transistors, ; i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
H01L 31/10
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
08in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
10characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
Déposants
  • 三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 嶋谷 政彰 SHIMATANI, Masaaki
  • 小川 新平 OGAWA, Shimpei
  • 福島 昌一郎 FUKUSHIMA, Shoichiro
Mandataires
  • 村上 加奈子 MURAKAMI, Kanako
  • 松井 重明 MATSUI, Jumei
  • 倉谷 泰孝 KURATANI, Yasutaka
Données relatives à la priorité
2018-12277628.06.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) ELECTRONIC DEVICE USING GRAPHENE, METHOD OF MANUFACTURING SAME, AND ELECTROMAGNETIC WAVE DETECTOR INCLUDING SAME
(FR) DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE UTILISANT DU GRAPHÈNE, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET DÉTECTEUR D'ONDES ÉLECTROMAGNÉTIQUES LE COMPRENANT
(JA) グラフェンを用いた電子デバイス、その製造方法及びそれを備えた電磁波検出器
Abrégé
(EN)
The present invention includes: a step of forming a catalyst metal (42); a step of forming a catalyst metal (40); a step of forming a protective film (22) such that top surfaces of the catalyst metal (42) and the catalyst metal (40) are exposed; a step of forming a graphene layer (30) on the exposed catalyst metal (42) and catalyst metal (40); a step of forming an insulating film (20) so as to cover the graphene layer (30); a step of forming a substrate (10) on the insulating film (20); and a step of removing the catalyst metal (42). The present invention is capable of reducing process damage to the graphene layer and of improving performance.
(FR)
La présente invention comprend : une étape de formation d'un métal catalyseur (42) ; une étape de formation d'un métal catalyseur (40) ; une étape de formation d'un film protecteur (22) de telle sorte que les surfaces supérieures du métal catalyseur (42) et du métal catalyseur (40) sont exposées ; une étape de formation d'une couche de graphène (30) sur le métal catalyseur (42) et le métal catalyseur (40) exposés ; une étape de formation d'un film isolant (20) de manière à recouvrir la couche de graphène (30) ; une étape de formation d'un substrat (10) sur le film isolant (20) ; et une étape d'élimination du métal catalyseur (42). La présente invention est capable de réduire les dommages du processus causés à la couche de graphène et d'améliorer les performances.
(JA)
触媒金属(42)を形成する工程と、触媒金属(40)を形成する工程と、触媒金属(42)及び触媒金属(40)の上面が露出するように保護膜(22)を形成する工程と、露出した触媒金属(42)及び触媒金属(40)の上にグラフェン層(30)を形成する工程と、グラフェン層(30)を覆うように絶縁膜(20)を形成する工程と、絶縁膜(20)上に基板(10)を形成する工程と、触媒金属(42)を除去する工程とを備え、グラフェン層へのプロセスダメージを減らすことができ、性能の向上させることができる。
Également publié en tant que
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