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1. WO2020002914 - COUCHE DE PROTECTION DE PULVÉRISATION DESTINÉE À DES DISPOSITIFS ÉLECTRONIQUES ORGANIQUES

Numéro de publication WO/2020/002914
Date de publication 02.01.2020
N° de la demande internationale PCT/GB2019/051807
Date du dépôt international 27.06.2019
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 29.04.2020
CIB
H01L 51/05 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
05spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances à l'état solide, ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
CPC
H01L 51/052
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
05specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential- jump barrier or surface barrier ; multistep processes for their manufacture
0504the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or swiched, e.g. three-terminal devices
0508Field-effect devices, e.g. TFTs
0512insulated gate field effect transistors
0516characterised by the gate dielectric
052the gate dielectric comprising only organic materials
H01L 51/0529
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
05specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential- jump barrier or surface barrier ; multistep processes for their manufacture
0504the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or swiched, e.g. three-terminal devices
0508Field-effect devices, e.g. TFTs
0512insulated gate field effect transistors
0516characterised by the gate dielectric
0529the gate dielectric having a multilayered structure
Déposants
  • SMARTKEM LIMITED [GB]/[GB]
Inventeurs
  • LOWMAN, Ian
  • MORGAN, John
  • MOHIALDIN-KHAFFAF, Soad
  • WATSON, Colin
  • BROWN, Beverley
Mandataires
  • GILL JENNINGS & EVERY LLP
  • CLARKE, Lionel Paul
Données relatives à la priorité
1810710.229.06.2018GB
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) SPUTTER PROTECTIVE LAYER FOR ORGANIC ELECTRONIC DEVICES
(FR) COUCHE DE PROTECTION DE PULVÉRISATION DESTINÉE À DES DISPOSITIFS ÉLECTRONIQUES ORGANIQUES
Abrégé
(EN)
The present invention provides an organic gate insulator (OGI) layer having a low dielectric constant (k), said organic gate insulator layer being over-coated with a cross-linked organic layer (OSPL) having a relatively high permittivity (k). The present invention also provides an electronic device comprising such an organic thin film transistor. The invention also provides a solution for producing said OSPL, and a process for producing said OSPL.
(FR)
La présente invention concerne une couche d'isolant de grille organique (OGI) à faible constante diélectrique (k), ladite couche d'isolant de grille organique étant recouverte d'une couche organique réticulée (OSPL) à permittivité relativement élevée (k). La présente invention concerne également un dispositif électronique comprenant un tel transistor en couches minces organique. L'invention concerne en outre une solution et un procédé permettant de produire ladite OSPL.
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