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1. WO2020001831 - PROCÉDÉ D'EXÉCUTION D'UN PROCESSUS DE FABRICATION ET APPAREILS ASSOCIÉS

Numéro de publication WO/2020/001831
Date de publication 02.01.2020
N° de la demande internationale PCT/EP2019/060912
Date du dépôt international 29.04.2019
CIB
G03F 7/20 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20Exposition; Appareillages à cet effet
G03F 1/70 2012.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
1Originaux pour la production par voie photomécanique de surfaces texturées, p.ex. masques, photomasques ou réticules; Masques vierges ou pellicules à cet effet; Réceptacles spécialement adaptés à ces originaux; Leur préparation
68Procédés de préparation non couverts par les groupes G03F1/20-G03F1/50105
70Adaptation du tracé ou de la conception de base du masque aux exigences du procédé lithographique, p.ex. correction par deuxième itération d'un motif de masque pour l'imagerie
CPC
G03F 1/70
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
1Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
70Adapting basic layout or design of masks to lithographic process requirements, e.g., second iteration correction of mask patterns for imaging
G03F 7/70283
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70216Systems for imaging mask onto workpiece
70283Masks or their effects on the imaging process, e.g. Fourier masks, greyscale masks, holographic masks, phase shift masks, phasemasks, lenticular masks, multiple masks, tilted masks, tandem masks
G03F 7/70466
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70425Imaging strategies, e.g. for increasing throughput, printing product fields larger than the image field, compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching, double patterning
70466Multiple exposures, e.g. combination of fine and coarse exposures, double patterning, multiple exposures for printing a single feature, mix-and-match
G03F 7/70475
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70425Imaging strategies, e.g. for increasing throughput, printing product fields larger than the image field, compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching, double patterning
70475Stitching, i.e. connecting image fields to produce a device field, the field occupied by a device such as a memory chip, processor chip, CCD, flat panel display
Déposants
  • ASML NETHERLANDS B.V. [NL]/[NL]
Inventeurs
  • THEEUWES, Thomas
  • VAN INGEN SCHENAU, Koenraad
  • WOLTGENS, Pieter, Joseph, Marie
Mandataires
  • PETERS, John
Données relatives à la priorité
18179450.425.06.2018EP
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR PERFORMING A MANUFACTURING PROCESS AND ASSOCIATED APPARATUSES
(FR) PROCÉDÉ D'EXÉCUTION D'UN PROCESSUS DE FABRICATION ET APPAREILS ASSOCIÉS
Abrégé
(EN)
Disclosed is a method for assigning features into at least first features and second features, said first features being for at least one first patterning device configured for use in a lithographic process to form corresponding first structures on a substrate and second features being for at least one second patterning device configured for use in a lithographic process to form corresponding second structures on a substrate, wherein said method comprises assigning said features into said first features and said second features based on a patterning characteristic of the features.
(FR)
L'invention concerne un procédé de répartition de caractéristiques en au moins des premières caractéristiques et des secondes caractéristiques, lesdites premières caractéristiques étant destinées à au moins un premier dispositif de formation de motifs conçu pour être utilisé dans un procédé lithographique servant à former des premières structures correspondantes sur un substrat, et lesdites secondes caractéristiques étant destinées à au moins un second dispositif de formation de motifs conçu pour être utilisé dans un procédé lithographique servant à former des secondes structures correspondantes sur un substrat, ledit procédé consistant à répartir lesdites caractéristiques en lesdites premières caractéristiques et en lesdites secondes caractéristiques sur la base d'une caractéristique de formation de motifs des caractéristiques.
Également publié en tant que
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