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1. WO2020000230 - DISPOSITIF D'ENTRAÎNEMENT DE MÉMOIRE

Numéro de publication WO/2020/000230
Date de publication 02.01.2020
N° de la demande internationale PCT/CN2018/092994
Date du dépôt international 27.06.2018
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 21.05.2019
CIB
G11C 11/16 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
11Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
02utilisant des éléments magnétiques
16utilisant des éléments dans lesquels l'effet d'emmagasinage est basé sur l'effet de spin
CPC
G11C 11/16
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
Déposants
  • 江苏时代全芯存储科技股份有限公司 JIANGSU ADVANCED MEMORY TECHNOLOGY CO., LTD. [CN]/[CN]
  • 江苏时代芯存半导体有限公司 JIANGSU ADVANCED MEMORY SEMICONDUCTOR CO., LTD. [CN]/[CN]
  • 铨芯科技股份有限公司 ALTO MEMORY TECHNOLOGY CORPORATION [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 吴瑞仁 WU, Jui-jen
Mandataires
  • 北京律诚同业知识产权代理有限公司 LECOME INTELLECTUAL PROPERTY AGENT LTD.
Données relatives à la priorité
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) MEMORY DRIVING DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'ENTRAÎNEMENT DE MÉMOIRE
(ZH) 记忆体驱动装置
Abrégé
(EN)
A memory driving device, comprising a switch, a voltage setting circuit, and a bias control circuit. The switch is coupled to a memory. The voltage setting circuit is coupled to the switch and configured to provide a set signal during a first period to turn on the switch, so as to generate current flowing through the switch to the memory. The bias control circuit is coupled to the switch and the memory, and configured to provide a bias signal to the switch according to the current during a second period, so as to control the ON/OFF of the switch, thereby adaptively adjusting the current.
(FR)
L'invention concerne un dispositif d'entraînement de mémoire, comprenant un commutateur, un circuit de réglage de tension et un circuit de commande de polarisation. Le commutateur est couplé à une mémoire. Le circuit de réglage de tension est couplé au commutateur et configuré pour fournir un signal défini pendant une première période afin d'activer le commutateur, de façon à générer un courant circulant à travers le commutateur vers la mémoire. Le circuit de commande de polarisation est couplé au commutateur et à la mémoire, et configuré pour fournir un signal de polarisation au commutateur selon le courant pendant une seconde période, de façon à commander l'activation/désactivation du commutateur, ce qui permet d'ajuster de manière adaptative le courant.
(ZH)
一种记忆体驱动装置,其包含开关、电压设定电路及偏压控制电路。开关耦接于记忆体。电压设定电路耦接于开关,并用以于第一期间提供设定信号以开启开关,借以产生电流流经开关至记忆体。偏压控制电路耦接于开关与记忆体,并用以于第二期间根据电流而提供偏压信号予开关,借以控制开关的启闭而适应性地调整电流。
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