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1. WO2019230701 - DISPOSITIF ET PROCÉDÉ POUR LA PRODUCTION DE MONOCRISTAUX TUBULAIRES

Numéro de publication WO/2019/230701
Date de publication 05.12.2019
N° de la demande internationale PCT/JP2019/021037
Date du dépôt international 28.05.2019
CIB
C30B 15/34 2006.1
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
15Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p.ex. méthode de Czochralski
34Croissance des cristaux par alimentation de couche avec contrôle de surface en utilisant des matrices de formage ou des fentes de guidage
CPC
C30B 15/34
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
15Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
34Edge-defined film-fed crystal-growth using dies or slits
C30B 29/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
02Elements
06Silicon
C30B 29/16
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
16Oxides
C30B 29/20
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
16Oxides
20Aluminium oxides
C30B 29/66
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
60characterised by shape
66Crystals of complex geometrical shape, e.g. tubes, cylinders
Déposants
  • 京セラ株式会社 KYOCERA CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 坂野 一郎 SAKANO, Ichiro
  • 原田 真利 HARADA, Masatoshi
  • 福飯 明雄 FUKUI, Akeo
Mandataires
  • 深井 敏和 FUKAI, Toshikazu
Données relatives à la priorité
2018-10445431.05.2018JP
Langue de publication Japonais (ja)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING TUBULAR SINGLE CRYSTALS
(FR) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ POUR LA PRODUCTION DE MONOCRISTAUX TUBULAIRES
(JA) チューブ状単結晶体の製造装置および製造方法
Abrégé
(EN) A device for producing tubular single crystals, said device comprising: a crucible in which a material of single crystals is filled; a heating means for melting the material in the crucible; a die which is disposed in the crucible, has an annular slit for sucking up the molten liquid in the crucible, and holds the molten liquid on an upper surface thereof; and a pulling means to a lower end of which seed crystals for contacting the molten liquid on the upper surface of the die are attached, and which pulls up the seed crystals from the molten liquid to allow single crystals to grow. The upper surface of the die includes upwardly inclined surfaces respectively on the inner and outer diameter sides of the annular slit, the height of each inclined surface increasing with increasing distance from the annular slit. The maximum height (H1) of the inclined surface on the inner diameter side is greater than the maximum height (H2) of the inclined surface on the outer diameter side, wherein the difference therebetween (H1-H2) is 0.1 mm or more and less than 7.5 mm.
(FR) L'invention concerne un dispositif pour la production de monocristaux tubulaires, ledit dispositif comprenant : un creuset rempli de matériau de monocristaux ; un moyen de chauffage pour la fusion du matériau dans le creuset ; une filière qui est disposée dans le creuset, qui a une fente annulaire pour l'aspiration du liquide fondu présent dans le creuset et qui maintient le liquide fondu sur sa surface supérieure ; et un moyen de traction à une extrémité inférieure duquel sont fixés des germes cristallins destinés à venir en contact avec le liquide fondu présent sur la surface supérieure de la filière et qui tire les germes cristallins à partir du liquide fondu pour permettre à des monocristaux de croître. La surface supérieure de la filière comprend des surfaces inclinées vers le haut respectivement du côté du diamètre interne et du côté du diamètre externe de la fente annulaire, la hauteur de chaque surface inclinée augmentant lorsque la distance à la fente annulaire croît. La hauteur maximale (H1) de la surface inclinée du côté du diamètre interne est supérieure à la hauteur maximale (H2) de la surface inclinée du côté du diamètre externe, la différence entre celles-ci (H1-H2) étant supérieure ou égale à 0,1 mm et inférieure à 7,5 mm.
(JA) 単結晶体の原料が充填される坩堝と、前記坩堝内の前記原料を溶融させる加熱手段と、前記坩堝内に配置され、坩堝内の溶融液を吸い上げる環状スリットを有し、上面に前記溶融液を保持したダイと、前記ダイ上面の前記溶融液に接触する種結晶が下端に取付けられ、前記溶融液から前記種結晶を引き上げながら単結晶体を育成する引き上げ手段と、を備えたチューブ状単結晶体の製造装置である。前記ダイの上面は、前記環状スリットから内径側および外径側にそれぞれ環状スリットから離れるに従って高くなる上向きの斜面を含んでおり、内径側の斜面の最大高さ(H1)が外径側の斜面の最大高さ(H2)よりも大きく、その差(H1-H2)が0.1mm以上、7.5mm未満である。
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