(EN) Provided are silicon fine particles in which oxidization is effectively prevented and which have a crystallite diameter that is close to an amorphous solid. The silicon fine particles are characterized by having: an average primary particle diameter of 30-900 nm; a crystallite diameter of less than 10 nm; a chlorine concentration of 1-10 mass%; a ratio of oxygen concentration (Co: mass%) and a specific surface area (S: m2/g), i.e., (Co / S), of less than 0.05. In this method for producing silicon fine particles, a gas including trichlorosilane is heated to 600-950°C in a reaction chamber to thermally decompose the trichlorosilane and to generate a chlorine-containing silicon fine particle precursor. Next, the silicon fine particle precursor is collected, and then the collected silicon fine particle precursor is heated at 750-900°C, while an inert gas is supplied or under a reduced pressure, and subjected to dechlorination.
(FR) L'invention concerne des particules fines de silicium dans lesquelles l'oxydation est efficacement empêchée et qui ont un diamètre de cristallite qui est proche d'un solide amorphe. Les particules fines de silicium sont caractérisées en ce qu'elles ont : un diamètre moyen de particule primaire de 30 à 900 nm ; un diamètre de cristallite inférieur à 10 nm ; une concentration en chlore de 1 à 10 % en masse ; un rapport de concentration en oxygène (Co : % en masse) et une surface spécifique (S: m2/g), c'est-à-dire, (Co / S), de moins de 0,05. Dans cette méthode de production de particules fines de silicium, un gaz comprenant du trichlorosilane est chauffé à 600-950°C dans une chambre de réaction pour décomposer thermiquement le trichlorosilane et pour générer un précurseur de particules fines de silicium contenant du chlore. Ensuite, le précurseur de particules fines de silicium est collecté, puis le précurseur de particules fines de silicium collecté est chauffé à 750-900°C, tandis qu'un gaz inerte est fourni ou sous une pression réduite, et soumis à une déchloration.
(JA) 酸化が有効に防止され、アモルファスに近い結晶子径を有するシリコン微粒子を提供する。 本発明のシリコン微粒子は、一次粒子の平均直径が３０～９００ｎｍであり、結晶子径が１０ｎｍ未満であり、塩素濃度が、１～１０質量％にあり、酸素濃度（Ｃo：質量％）と比表面積（Ｓ：ｍ2／ｇ）との比（Ｃo／Ｓ）が０．０５未満であることを特徴とする。また、本発明のシリコン微粒子の製造方法は、反応器内で、トリクロロシランを含むガスを６００～９５０℃の温度に加熱し、トリクロロシランを熱分解させて塩素含有シリコン微粒子前駆体を生成させたのち、前記シリコン微粒子前駆体を捕集し、次いで、捕集した前記シリコン微粒子前駆体を、不活性ガスの供給下、または減圧下で、７５０～９００℃の温度で加熱して脱塩素を行う。