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1. WO2019221157 - PARTICULES FINES DE SILICIUM ET LEUR MÉTHODE DE PRODUCTION

Numéro de publication WO/2019/221157
Date de publication 21.11.2019
N° de la demande internationale PCT/JP2019/019233
Date du dépôt international 15.05.2019
CIB
C01B 33/03 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
01CHIMIE INORGANIQUE
BÉLÉMENTS NON MÉTALLIQUES; LEURS COMPOSÉS
33Silicium; Ses composés
02Silicium
021Préparation
027par décomposition ou réduction de composés de silicium gazeux ou vaporisés autres que la silice ou un matériau contenant de la silice
03par décomposition d'halogénures de silicium ou de silanes halogénés ou réduction de ceux-ci avec de l'hydrogène comme seul agent réducteur
H01M 4/38 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
MPROCÉDÉS OU MOYENS POUR LA CONVERSION DIRECTE DE L'ÉNERGIE CHIMIQUE EN ÉNERGIE ÉLECTRIQUE, p.ex. BATTERIES
4Électrodes
02Electrodes composées d'un ou comprenant un matériau actif
36Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs
38d'éléments simples ou d'alliages
CPC
C01B 33/03
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; ; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
33Silicon; Compounds thereof
02Silicon
021Preparation
027by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
03by decomposition of silicon halides or halosilanes or reduction thereof with hydrogen as the only reducing agent
C01P 2002/60
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
2002Crystal-structural characteristics
60Compounds characterised by their crystallite size
C01P 2004/64
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
2004Particle morphology
60Particles characterised by their size
64Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer
C01P 2006/80
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
2006Physical properties of inorganic compounds
80Compositional purity
H01M 4/38
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
MPROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
4Electrodes
02Electrodes composed of or comprising active material
36Selection of substances as active materials, active masses, active liquids
38of elements or alloys
Y02E 60/10
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
60Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
10Energy storage using batteries
Déposants
  • 株式会社トクヤマ TOKUYAMA CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 望月 直人 MOCHIZUKI Naoto
  • 石田 晴之 ISHIDA Haruyuki
  • 有行 正男 ARIYUKI Masao
  • 福原 浩二 FUKUHARA Koji
Mandataires
  • 特許業務法人SSINPAT SSINPAT PATENT FIRM
Données relatives à la priorité
2018-09606718.05.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SILICON FINE PARTICLES AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) PARTICULES FINES DE SILICIUM ET LEUR MÉTHODE DE PRODUCTION
(JA) シリコン微粒子及びその製造方法
Abrégé
(EN)
Provided are silicon fine particles in which oxidization is effectively prevented and which have a crystallite diameter that is close to an amorphous solid. The silicon fine particles are characterized by having: an average primary particle diameter of 30-900 nm; a crystallite diameter of less than 10 nm; a chlorine concentration of 1-10 mass%; a ratio of oxygen concentration (Co: mass%) and a specific surface area (S: m2/g), i.e., (Co / S), of less than 0.05. In this method for producing silicon fine particles, a gas including trichlorosilane is heated to 600-950°C in a reaction chamber to thermally decompose the trichlorosilane and to generate a chlorine-containing silicon fine particle precursor. Next, the silicon fine particle precursor is collected, and then the collected silicon fine particle precursor is heated at 750-900°C, while an inert gas is supplied or under a reduced pressure, and subjected to dechlorination.
(FR)
L'invention concerne des particules fines de silicium dans lesquelles l'oxydation est efficacement empêchée et qui ont un diamètre de cristallite qui est proche d'un solide amorphe. Les particules fines de silicium sont caractérisées en ce qu'elles ont : un diamètre moyen de particule primaire de 30 à 900 nm ; un diamètre de cristallite inférieur à 10 nm ; une concentration en chlore de 1 à 10 % en masse ; un rapport de concentration en oxygène (Co : % en masse) et une surface spécifique (S: m2/g), c'est-à-dire, (Co / S), de moins de 0,05. Dans cette méthode de production de particules fines de silicium, un gaz comprenant du trichlorosilane est chauffé à 600-950°C dans une chambre de réaction pour décomposer thermiquement le trichlorosilane et pour générer un précurseur de particules fines de silicium contenant du chlore. Ensuite, le précurseur de particules fines de silicium est collecté, puis le précurseur de particules fines de silicium collecté est chauffé à 750-900°C, tandis qu'un gaz inerte est fourni ou sous une pression réduite, et soumis à une déchloration.
(JA)
酸化が有効に防止され、アモルファスに近い結晶子径を有するシリコン微粒子を提供する。 本発明のシリコン微粒子は、一次粒子の平均直径が30~900nmであり、結晶子径が10nm未満であり、塩素濃度が、1~10質量%にあり、酸素濃度(Co:質量%)と比表面積(S:m2/g)との比(Co/S)が0.05未満であることを特徴とする。また、本発明のシリコン微粒子の製造方法は、反応器内で、トリクロロシランを含むガスを600~950℃の温度に加熱し、トリクロロシランを熱分解させて塩素含有シリコン微粒子前駆体を生成させたのち、前記シリコン微粒子前駆体を捕集し、次いで、捕集した前記シリコン微粒子前駆体を、不活性ガスの供給下、または減圧下で、750~900℃の温度で加熱して脱塩素を行う。
Également publié en tant que
EP2019804259
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