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1. WO2019220795 - LASER À ÉMISSION PAR LA SURFACE ET DISPOSITIF D'INSPECTION

Numéro de publication WO/2019/220795
Date de publication 21.11.2019
N° de la demande internationale PCT/JP2019/014275
Date du dépôt international 29.03.2019
CIB
H01S 5/183 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
10Structure ou forme du résonateur optique
18Lasers à émission de surface
183ayant une cavité verticale
CPC
H01S 5/183
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
10Construction or shape of the optical resonator ; , e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
18Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
183having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
Déposants
  • 株式会社QDレーザ QD LASER, INC. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 影山健生 KAGEYAMA, Takeo
Mandataires
  • 片山修平 KATAYAMA, Shuhei
Données relatives à la priorité
2018-09644118.05.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SURFACE EMITTING LASER AND INSPECTION DEVICE
(FR) LASER À ÉMISSION PAR LA SURFACE ET DISPOSITIF D'INSPECTION
(JA) 面発光レーザおよび検査装置
Abrégé
(EN)
This surface emitting laser includes: a first reflection layer that reflects emitted light and changes the wavelength of the emitted light due to a change in position in a stacking direction; a second reflection layer that is provided in the stacking direction of the first reflection layer and reflects the emitted light; a semiconductor layer that is sandwiched between the first reflection layer and the second reflection layer in the stacking direction; and a plurality of light emitting layers that each has an energy level difference that is smaller than the band gap energy of the semiconductor layer, is disposed in the stacking direction in the semiconductor layer, and emits the emitted light that corresponds to the energy level difference. The energy level difference of a first light emitting layer among the plurality of light emitting layers is greater than the energy level difference of a second light emitting layer among the plurality of light emitting layers that is located more toward the first reflection layer than the first light emitting layer.
(FR)
La présente invention concerne un laser à émission par la surface comprenant : une première couche de réflexion qui réfléchit la lumière émise et modifie la longueur d'onde de la lumière émise en raison d'un changement de position dans une direction d'empilement ; une seconde couche de réflexion qui est disposée dans la direction d'empilement de la première couche de réflexion et qui réfléchit la lumière émise ; une couche semi-conductrice qui est prise en sandwich entre la première couche de réflexion et la seconde couche de réflexion dans la direction d'empilement ; et les couches d'une pluralité de couches électroluminescentes, qui affichent toutes une différence de niveau d'énergie qui est inférieure à l'énergie de bande interdite de la couche semi-conductrice, sont disposées dans la direction d'empilement dans la couche semi-conductrice, et émettent la lumière émise qui correspond à la différence de niveau d'énergie. La différence de niveau d'énergie d'une première couche d'émission de lumière parmi la pluralité de couches d'émission de lumière est supérieure à la différence de niveau d'énergie d'une seconde couche d'émission de lumière parmi la pluralité de couches d'émission de lumière qui est située davantage vers la première couche de réflexion que la première couche d'émission de lumière.
(JA)
放出光を反射し、積層方向の位置が変化することにより前記放出光の波長を変化させる第1反射層と、前記第1反射層の前記積層方向に設けられ前記放出光を反射する第2反射層と、前記積層方向において前記第1反射層および前記第2反射層に挟まれた半導体層と、前記半導体層のバンドギャップエネルギーより小さいエネルギー準位差を有し、前記半導体層内の前記積層方向に配置され、前記エネルギー準位差に相当する前記放出光を放出する複数の発光層と、を備え、前記複数の発光層のうち第1発光層のエネルギー準位差は、前記複数の発光層のうち前記第1発光層より前記第1反射層側に位置する第2発光層のエネルギー準位差より大きいことを特徴とする面発光レーザ。
Également publié en tant que
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