(EN) Provided is a semiconductor device that can be miniaturized or highly integrated. The semiconductor device comprises first to fourth conductors, a first insulator and a second insulator, and a first oxide and a second oxide, wherein the first insulator is disposed on the first conductor, the first oxide is disposed on the first insulator, a first opening that reaches the first conductor is provided to the first insulator and the first oxide, the second conductor and the third conductor, which are provided separately to each other, are disposed on the first oxide, at least a portion of the third conductor overlaps with the first opening and is in contact with the upper surface of the first conductor, the second oxide is disposed on the first oxide such that at least a portion thereof overlaps with a region between the second conductor and the third conductor, the second insulator is disposed on the second oxide, and the fourth conductor is disposed on the second insulator.
(FR) La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteurs qui peut être miniaturisé ou hautement intégré. Le dispositif à semi-conducteurs comprend des premier à quatrième conducteurs, un premier isolant et un second isolant, et un premier oxyde et un second oxyde, le premier isolant étant disposé sur le premier conducteur, le premier oxyde étant disposé sur le premier isolant, une première ouverture qui atteint le premier conducteur étant disposée sur le premier isolant et le premier oxyde, le deuxième conducteur et le troisième conducteur, qui sont disposés séparément l'un de l'autre, étant disposés sur le premier oxyde, au moins une partie du troisième conducteur chevauchant la première ouverture et étant en contact avec la surface supérieure du premier conducteur, le second oxyde étant disposé sur le premier oxyde de telle sorte qu'au moins une partie de ce dernier chevauche une région entre le deuxième conducteur et le troisième conducteur, le second isolant étant disposé sur le second oxyde, et le quatrième conducteur étant disposé sur le second isolant.
(JA) 要約書 微細化または高集積化が可能な半導体装置を提供する。 第1の導電体乃至第4の導電体と、 第1の絶縁体および第2の絶縁体と、 第1の酸化物および第2の 酸化物と、を有し、第1の導電体上に、第1の絶縁体が配置され、第1の絶縁体上に、第1の酸化物 が配置され、 第1の絶縁体および第1の酸化物に第1の導電体に達する第1の開口が設けられ、 第1 の酸化物上に、 お互いに離間して設けられた第2の導電体および第3の導電体が配置され、 第3の導 電体の少なくとも一部は、 第1の開口と重なり、 第1の導電体の上面に接し、 第1の酸化物上に、 少 なくとも一部が第2の導電体と第3の導電体の間の領域と重なるように、第2の酸化物が配置され、 第2の酸化物上に、第2の絶縁体が配置され、第2の絶縁体上に、第4の導電体が配置される。