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1. WO2019206619 - CELLULE DE MÉMOIRE TERNAIRE ET AGENCEMENT DE CELLULE DE MÉMOIRE TERNAIRE

Numéro de publication WO/2019/206619
Date de publication 31.10.2019
N° de la demande internationale PCT/EP2019/058911
Date du dépôt international 09.04.2019
CIB
G11C 15/04 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
15Mémoires numériques dans lesquelles l'information, comportant une ou plusieurs parties caractéristiques, est écrite dans la mémoire et dans lesquelles l'information est lue au moyen de la recherche de l'une ou plusieurs de ces parties caractéristiques, c. à d. mémoires associatives ou mémoires adressables par leur contenu
04utilisant des éléments semi-conducteurs
CPC
G11C 11/223
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
21using electric elements
22using ferroelectric elements
223using MOS with ferroelectric gate insulating film
G11C 15/046
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
15Digital stores in which information comprising one or more characteristic parts is written into the store and in which information is read-out by searching for one or more of these characteristic parts, i.e. associative or content-addressed stores
04using semiconductor elements
046using non-volatile storage elements
Déposants
  • FERROELECTRIC MEMORY GMBH [DE]/[DE]
Inventeurs
  • NOACK, Marko
Mandataires
  • VIERING, JENTSCHURA & PARTNER MBB
Données relatives à la priorité
15/959,68823.04.2018US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) TERNARY MEMORY CELL AND TERNARY MEMORY CELL ARRANGEMENT
(FR) CELLULE DE MÉMOIRE TERNAIRE ET AGENCEMENT DE CELLULE DE MÉMOIRE TERNAIRE
Abrégé
(EN)
In various embodiments, a ternary memory cell is provided, the ternary memory cell including: a first ferroelectric memory cell and a second ferroelectric memory cell in a parallel or serial arrangement, wherein each of the first ferroelectric memory cell and the second ferroelectric memory cell is switchable into a first ferroelectric memory cell state and a second ferroelectric memory cell state; and wherein a first matching state is defined by the first ferroelectric memory cell in the first ferroelectric memory cell state and the second ferroelectric memory cell in the second ferroelectric memory cell state, wherein a second matching state is defined by the first ferroelectric memory cell in the second ferroelectric memory cell state and the second ferroelectric memory cell in the first ferroelectric memory cell state, and wherein a third matching state is defined by the first ferroelectric memory cell and the second ferroelectric memory cell being in the same ferroelectric memory cell state.
(FR)
Selon divers modes de réalisation, l'invention concerne une cellule de mémoire ternaire, la cellule de mémoire ternaire comprenant : une première cellule de mémoire ferroélectrique et une seconde cellule de mémoire ferroélectrique dans un agencement parallèle ou série, chacune de la première cellule de mémoire ferroélectrique et de la seconde cellule de mémoire ferroélectrique étant commutable en un premier état de cellule de mémoire ferroélectrique et un second état de cellule de mémoire ferroélectrique ; et un premier état de correspondance étant défini par la première cellule de mémoire ferroélectrique dans le premier état de cellule de mémoire ferroélectrique et la seconde cellule de mémoire ferroélectrique dans le second état de cellule de mémoire ferroélectrique, un second état de correspondance étant défini par la première cellule de mémoire ferroélectrique dans le second état de cellule de mémoire ferroélectrique et la seconde cellule de mémoire ferroélectrique dans le premier état de cellule de mémoire ferroélectrique, et un troisième état de correspondance étant défini par la première cellule de mémoire ferroélectrique et la seconde cellule de mémoire ferroélectrique étant dans le même état de cellule de mémoire ferroélectrique.
Également publié en tant que
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