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Paramétrages

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1. WO2019198670 - STRUCTURE D'ÉLECTRODE

Lien permanent
Numéro de publication WO/2019/198670
Date de publication 17.10.2019
N° de la demande internationale PCT/JP2019/015335
Date du dépôt international 08.04.2019
CIB
H01L 21/56 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
56Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
G01N 27/333 2006.1
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
NRECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
27Recherche ou analyse des matériaux par l'emploi de moyens électriques, électrochimiques ou magnétiques
26en recherchant des variables électrochimiques; en utilisant l'électrolyse ou l'électrophorèse
28Composants de cellules électrolytiques
30Électrodes, p.ex. électrodes pour tests; Demi-cellules
333Electrodes ou membranes sélectives à l'égard des ions
G06K 19/00 2006.1
GPHYSIQUE
06CALCUL; COMPTAGE
KRECONNAISSANCE DES DONNÉES; PRÉSENTATION DES DONNÉES; SUPPORTS D'ENREGISTREMENT; MANIPULATION DES SUPPORTS D'ENREGISTREMENT
19Supports d'enregistrement pour utilisation avec des machines et avec au moins une partie prévue pour supporter des marques numériques
H01L 23/28 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
28Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
H01L 27/10 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
10comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
CPC
G01N 27/283
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
27Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
26by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
28Electrolytic cell components
283Means for supporting or introducing electrochemical probes
G01N 27/333
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
27Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
26by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
28Electrolytic cell components
30Electrodes, e.g. test electrodes; Half-cells
333Ion-selective electrodes or membranes
G01N 27/416
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
27Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
26by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
416Systems
G06K 19/00
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
KRECOGNITION OF DATA; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
19Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
G06K 19/042
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
KRECOGNITION OF DATA; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
19Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
04characterised by the shape
041Constructional details
042the record carrier having a form factor of a credit card and including a small sized disc, e.g. a CD or DVD
G06K 19/077
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
KRECOGNITION OF DATA; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
19Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
06characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
067Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards ; also with resonating or responding marks without active components
07with integrated circuit chips
077Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
Déposants
  • 株式会社日立ハイテク HITACHI HIGH-TECH CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 池田　宇亨 IKEDA Ukyo
  • 小野　哲義 ONO Tetsuyoshi
  • 中土　裕樹 NAKATSUCHI Hiroki
  • 三宅　雅文 MIYAKE Masafumi
Mandataires
  • 青稜特許業務法人 SEIRYO I.P.C.
Données relatives à la priorité
2018-07509510.04.2018JP
Langue de publication Japonais (ja)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) ELECTRODE STRUCTURE
(FR) STRUCTURE D'ÉLECTRODE
(JA) 電極構造
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Abrégé
(EN) An electrode formed by molding a semiconductor device with resin. The electrode comprises: a first resin mold portion formed on a front surface of the semiconductor device and having a first thickness (t1); a second resin mold portion formed on a back surface of the semiconductor device and having a second thickness (t2) greater than the first thickness; and an exposed portion formed in a part of the first resin mold portion corresponding to an end of the semiconductor device.
(FR) L'invention concerne une électrode formée par moulage d'un dispositif à semi-conducteur avec de la résine. L'électrode comprend : une première partie de moule en résine formée sur une surface avant du dispositif à semi-conducteur et ayant une première épaisseur (t1); une seconde partie de moule en résine formée sur une surface arrière du dispositif à semi-conducteur et ayant une seconde épaisseur (t2) supérieure à la première épaisseur; et une partie exposée formée dans une partie de la première partie de moule en résine correspondant à une extrémité du dispositif à semi-conducteur.
(JA) 半導体デバイスを樹脂でモールドして形成された電極である。電極は、半導体デバイスの表面に形成され第１の厚さ（ｔ１）を有する第１の樹脂モールド部と、半導体デバイスの裏面に形成され第１の厚さよりも大きい第２の厚さ（ｔ２）を有する第２の樹脂モールド部と、第１の樹脂モールド部における半導体デバイスの端部に対応する部分に形成された露出部とを有する。
Documents de brevet associés
JP2019186372
CN111902921
EP3780073
US20210140913
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international
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