(EN) A substrate manufacturing method comprising: a first resin layer formation step (S1) for forming a first resin layer on a substrate; a first resin layer firing step (S2) for firing the first resin layer and forming a first fired resin layer; a first defect determination step (S3) for determining a first defect in the first fired resin layer; a first through-hole formation step (S4) for forming a first through-hole that reaches the position at which the first defect exists, from the surface of the first fired resin layer to the first defect; a first polishing step (S5), after the first through hole formation step (S4), for polishing the area around the position at which the first defect exists in the first fired resin layer; and a first inorganic film formation step (S6) for forming a first inorganic film on the first fired resin layer.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication de substrat comprenant : une première étape de formation de couche de résine (S1) permettant de former une première couche de résine sur un substrat ; une première étape de cuisson de couche de résine (S2) permettant de cuire la première couche de résine et de former une première couche de résine cuite ; une première étape de détermination de défaut (S3) permettant de déterminer un premier défaut dans la première couche de résine cuite ; une première étape de formation de trou traversant (S4) permettant de former un premier trou traversant qui atteint la position au niveau de laquelle le premier défaut existe, de la surface de la première couche de résine cuite au premier défaut ; une première étape de polissage (S5), après la première étape de formation de trou traversant (S4), permettant de polir la zone autour de la position au niveau de laquelle le premier défaut existe dans la première couche de résine cuite ; et une première étape de formation de film inorganique (S6) permettant de former un premier film inorganique sur la première couche de résine cuite.
(JA) 基材上に第１樹脂層を形成する第１樹脂層形成工程（Ｓ１）と、第１樹脂層を焼成して第１焼成樹脂層を形成する第１樹脂層焼成工程（Ｓ２）と、第１焼成樹脂層内の第１欠陥を判別する第１欠陥判別工程（Ｓ３）と、第１欠陥が存在する位置に第１焼成樹脂層の表面から第１欠陥まで到達する第１貫通孔を形成する第１第１貫通孔形成工程（Ｓ４）と、第１貫通孔形成工程（Ｓ４）の後に、第１焼成樹脂層における第１欠陥が存在する位置の周辺領域を研磨する第１研磨工程（Ｓ５）と、第１焼成樹脂層上に第１無機膜を形成する第１無機膜形成工程（Ｓ６）とを備える基板製造方法。
