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1. WO2019121491 - AMÉLIORATION DE PROCESSUS DE FORMATION DE MOTIFS IMPLIQUANT UNE ABERRATION OPTIQUE

Numéro de publication WO/2019/121491
Date de publication 27.06.2019
N° de la demande internationale PCT/EP2018/085166
Date du dépôt international 17.12.2018
CIB
G03F 7/20 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20Exposition; Appareillages à cet effet
CPC
G03F 7/70433
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70425Imaging strategies, e.g. for increasing throughput, printing product fields larger than the image field, compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching, double patterning
70433Layout for increasing efficiency, for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields,; Use of mask features for increasing efficiency, for compensating imaging errors
G03F 7/706
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70483Information management, control, testing, and wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
70591Testing optical components
706Aberration measurement
Déposants
  • ASML NETHERLANDS B.V. [NL]/[NL]
Inventeurs
  • VAN ADRICHEM, Paulus, Jacobus, Maria
  • EL-SAID, Ahmad, Wasiem, Ibrahim
  • HENNERKES, Christoph, Rene, Konrad, Cebulla
  • JASPER, Johannes, Christiaan, Maria
Mandataires
  • PETERS, John
Données relatives à la priorité
62/609,80222.12.2017US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) PATTERNING PROCESS IMPROVEMENT INVOLVING OPTICAL ABERRATION
(FR) AMÉLIORATION DE PROCESSUS DE FORMATION DE MOTIFS IMPLIQUANT UNE ABERRATION OPTIQUE
Abrégé
(EN)
A method involving: obtaining a process model of a patterning process that includes or accounts for an average optical aberration of optical systems of a plurality of apparatuses for use with a patterning process; and applying the process model to determine an adjustment to a parameter of the patterning process to account for the average optical aberration.
(FR)
Un procédé consiste à : obtenir un modèle de processus d'un processus de formation de motifs qui comprend ou tient compte d'une aberration optique moyenne de systèmes optiques d'une pluralité d'appareils destinés à être utilisés avec un processus de formation de motifs; et à appliquer le modèle de processus pour déterminer un ajustement à un paramètre du processus de formation de motifs pour tenir compte de l'aberration optique moyenne.
Également publié en tant que
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