Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO2019118045 - PILOTE D'ÉCRITURE DE LIGNE DE BITS NÉGATIVE À TENSIONS MULTIPLES

Numéro de publication WO/2019/118045
Date de publication 20.06.2019
N° de la demande internationale PCT/US2018/052828
Date du dépôt international 26.09.2018
CIB
G11C 7/12 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
7Dispositions pour écrire une information ou pour lire une information dans une mémoire numérique
12Circuits de commande de lignes de bits, p.ex. circuits d'attaque, de puissance, de tirage vers le haut, d'abaissement, circuits de précharge, circuits d'égalisation, pour lignes de bits
G11C 7/10 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
7Dispositions pour écrire une information ou pour lire une information dans une mémoire numérique
10Dispositions d'interface d'entrée/sortie de données, p.ex. circuits de commande E/S de données, mémoires tampon de données E/S
CPC
G06F 1/3275
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
1Details not covered by groups G06F3/00G06F13/00 and G06F21/00
26Power supply means, e.g. regulation thereof
32Means for saving power
3203Power management, i.e. event-based initiation of power-saving mode
3234Power saving characterised by the action undertaken
325Power saving in peripheral device
3275Power saving in memory, e.g. RAM, cache
G06F 1/3296
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
1Details not covered by groups G06F3/00G06F13/00 and G06F21/00
26Power supply means, e.g. regulation thereof
32Means for saving power
3203Power management, i.e. event-based initiation of power-saving mode
3234Power saving characterised by the action undertaken
3296by lowering the supply or operating voltage
G11C 11/4074
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
21using electric elements
34using semiconductor devices
40using transistors
401forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
4063Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
407for memory cells of the field-effect type
4074Power supply or voltage generation circuits, e.g. bias voltage generators, substrate voltage generators, back-up power, power control circuits
G11C 11/4094
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
21using electric elements
34using semiconductor devices
40using transistors
401forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
4063Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
407for memory cells of the field-effect type
409Read-write [R-W] circuits 
4094Bit-line management or control circuits
G11C 11/419
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
21using electric elements
34using semiconductor devices
40using transistors
41forming ; static; cells with positive feedback, i.e. cells not needing refreshing or charge regeneration, e.g. bistable multivibrator or Schmitt trigger
413Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing, timing, power reduction
417for memory cells of the field-effect type
419Read-write [R-W] circuits
G11C 7/1096
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
7Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
1078Data input circuits, e.g. write amplifiers, data input buffers, data input registers, data input level conversion circuits
1096Write circuits, e.g. I/O line write drivers
Déposants
  • ADVANCED MICRO DEVICES, INC. [US]/[US]
Inventeurs
  • AHMED, Tawfik
Mandataires
  • SHEEHAN, Adam D.
Données relatives à la priorité
15/838,95512.12.2017US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) MULTI-VOLTAGE NEGATIVE BITLINE WRITE DRIVER
(FR) PILOTE D'ÉCRITURE DE LIGNE DE BITS NÉGATIVE À TENSIONS MULTIPLES
Abrégé
(EN)
A memory device [100] includes a memory cell [101] coupled to a bitline [113] and a bitline complement [114]. A first capacitive structure [121] is charged with a first voltage source such as a memory supply voltage. A second capacitive structure [122] is charged with a second voltage source such as a core supply voltage. A coupling structure [117] selectively and capacitively couples the first capacitive structure and the second capacitive structure to the bitline or the bitline complement, thereby applying a negative bitline write assist to the memory cell during a write operation.
(FR)
L'invention concerne un dispositif de mémoire [100] comprenant une cellule de mémoire [101] couplée à une ligne de bits [113] et à un complément de ligne de bits [114]. Une première structure capacitive [121] est chargée avec une première source de tension telle qu'une tension d'alimentation de mémoire. Une seconde structure capacitive [122] est chargée avec une seconde source de tension telle qu'une tension d'alimentation centrale. Une structure de couplage [117] couple sélectivement et de manière capacitive la première structure capacitive et la seconde structure capacitive à la ligne de bits ou au complément de ligne de bits, appliquant ainsi une assistance d'écriture de ligne de bits négative à la cellule de mémoire pendant une opération d'écriture.
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international